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2N5666S 参数 Datasheet PDF下载

2N5666S图片预览
型号: 2N5666S
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内容描述: 硅NPN晶体管 [Silicon NPN Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管开关
文件页数/大小: 2 页 / 199 K
品牌: SEMICOA [ SEMICOA SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2N5666S的Datasheet PDF文件第1页  
2N5666S
硅NPN晶体管
数据表
电气特性
在T规定的特性
A
= 25°C
开关特性
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
基本特征
参数
符号
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
h
FE5
V
BEsat1
V
BEsat2
V
CEsat1
V
CEsat2
符号
|h
FE
|
C
敖包
测试条件
I
C
= 0.5 A ,V
CE
- 2伏
I
C
= 1 A,V
CE
= 5伏
I
C
= 3 A,V
CE
= 5伏
I
C
= 5 A,V
CE
= 5伏
I
C
= 1 A,V
CE
= 5伏
T
A
= -55°C
I
C
= 3 A,I
B
= 300毫安
I
C
= 5 A,I
B
= 1 A
I
C
= 3 A,I
B
= 300毫安
I
C
= 5 A,I
B
= 1 A
测试条件
V
CE
= 5伏,我
C
= 500毫安,
F = 10MHz的
V
CB
= 10伏,我
E
= 0 mA时,
100千赫< ˚F < 1兆赫
符号
V
( BR ) CER
V
( BR ) EBO
I
CBO1
I
CES1
I
CES1
测试条件
I
C
= 10
µA,
R
BE
= 100
I
E
= 10
µA
V
CB
= 200伏
V
CE
= 200伏
V
CE
= 200伏特,T
A
= 150°C
250
6
100
200
100
典型值
最大
单位
nA
nA
µA
脉冲测试:脉冲宽度= 300
µs,
占空比
2.0%
直流电流增益
40
40
15
5
15
典型值
最大
120
单位
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
动态特性
参数
震级 - 共发射极,短
电路正向电流传输比
开路输出电容
开关特性
参数
开启时间
打开-O FF时间
1.2
1.5
0.4
1.0
2
典型值
最大
7
120
单位
pF
符号
t
ON
t
关闭
测试条件
I
C
= 1 A,V
CC
= 100伏
I
C
= 1 A,V
CC
= 100伏
典型值
最大
0.25
1.5
单位
µs
µs
Copyright 2002年
Rev. D的
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道,加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ,传真714.557.4541
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www.SEMICOA.com