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2N6988_04 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N6988_04
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内容描述: 硅PNP晶体管 [Silicon PNP Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 77 K
品牌: SEMICOA [ SEMICOA SEMICONDUCTOR ]
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2N6988
硅PNP晶体管
D上TA秒H E E吨
电气特性
在T规定的特性
A
= 25°C
开关特性
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射基截止电流
符号
V
( BR ) CEO
I
CBO1
I
CBO2
I
CBO3
I
EBO1
I
EBO2
测试条件
I
C
= 10毫安
V
CB
= 60伏
V
CB
= 50伏
V
CB
= 50伏,T
A
= 150°C
V
EB
= 5伏
V
EB
= 4伏
60
10
10
10
10
50
典型值
最大
单位
µA
nA
µA
µA
nA
基本特征
参数
符号
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
h
FE5
h
FE6
V
BEsat1
V
BEsat2
V
CEsat1
V
CEsat2
测试条件
I
C
= 0.1毫安, V
CE
= 10伏
I
C
= 1.0毫安, V
CE
= 10伏
I
C
= 10 mA时, V
CE
= 10伏
I
C
= 150毫安, V
CE
= 10伏
I
C
= 500毫安, V
CE
= 10伏
I
C
= 1.0毫安, V
CE
= 10伏
T
A
= -55°C
I
C
= 150毫安,我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安,我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
脉冲测试:脉冲宽度= 300
µs,
占空比<2.0 %
直流电流增益
75
100
100
100
50
50
典型值
最大
450
300
单位
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
1.3
2.6
0.4
1.6
动态特性
参数
震级 - 共发射极,短
电路正向电流传输比
小信号短路正向
电流传输比
开路输出电容
开路输入电容
晶体管到晶体管电阻
符号
|h
FE
|
h
FE
C
敖包
C
IBO
|R
T-T
|
测试条件
V
CE
= 20伏,我
C
= 20毫安,
F = 100 MHz的
V
CE
= 10伏,我
C
= 1毫安,
F = 1千赫
V
CB
= 10伏,我
E
= 0 mA时,
100千赫< ˚F < 1兆赫
V
EB
= 2伏特,我
C
= 0 mA时,
100千赫< ˚F < 1兆赫
|V
T-T
| = 500伏
2
100
8
30
10
10
pF
pF
典型值
最大
单位
开关特性
饱和导通时间
饱和的关断时间
t
ON
t
关闭
45
300
ns
ns
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牧师D.2
Semicoa
麦考密克333大道,加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ,传真714.557.4541
第2页2
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