HFB1N70S 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HFB1N70S
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内容描述：	700V N沟道MOSFET [700V N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	2 页 / 227 K
品牌：	SEMIHOW [ SEMIHOW CO.,LTD. ]

初步

HFB1N70S_Preliminary

2008年12月

DSS

= 700 V

HFB1N70S

700V N沟道MOSFET

特点



有创意的新设计



高级雪崩坚固的技术



强劲的栅极氧化层技术



非常低的固有电容



优良的开关特性



无与伦比的闸电荷： 4.5 NC （典型值）。



扩展安全工作区



低ř

DS （ ON）

： 14 Ω （典型值） @V

=10V



100％的雪崩测试

DS （ ON）（典型值）

= 14.0 Ω

= 0.3 A

TO-92

1.Gate 2.排水3.源

绝对最大额定值

符号

DSS

dv / dt的

, T

英镑

漏源电压

漏电流

栅源电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

= 25 ℃除非另有规定

参数

价值

700

单位

V / ns的

W/℃

℃

- 连续（T

= 25℃)

- 连续（T

= 100℃)

- 脉冲

（注1 ）

0.3

0.18

1.2

±30

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

0.3

0.25

4.5

2.5

0.02

-55到+150

300

功率耗散（T

= 25℃)

减免上述25 °

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

1/8 ？从案例5秒

*漏电流受结温

热阻特性

符号

θJL

θJA

结到铅

结到环境

参数

典型值。

马克斯。

140

℃/W

单位

◎

SEMIHOW REV.A0 ， 2008年12月

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