HFD1N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HFD1N60
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内容描述：	600V N沟道MOSFET [600V N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 602 K
品牌：	SEMIHOW [ SEMIHOW CO.,LTD. ]

HFD1N60 / HFU1N60

2005年12月

DSS

= 600 V

HFD1N60 / HFU1N60

600V N沟道MOSFET

特点



有创意的新设计



高级雪崩坚固的技术



强劲的栅极氧化层技术



非常低的固有电容



优良的开关特性



无与伦比的闸电荷： 4.0 NC （典型值）。



扩展安全工作区



低ř

DS （ ON）

： 9.5 Ω （典型值） @V

=10V



100％的雪崩测试

DS （ ON）（典型值）

= 9.5 Ω

= 0.9 A

D- PAK

I- PAK

HFD1N60

HFU1N60

1.Gate 2.排水3.源

绝对最大额定值

符号

DSS

dv / dt的

漏源电压

漏电流

栅源电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功率耗散（T

= 25℃) *

= 25 ℃除非另有规定

参数

价值

600

单位

V / ns的

W/℃

℃

- 连续（T

= 25℃)

- 连续（T

= 100℃)

- 脉冲

（注1 ）

0.9

0.57

3.6

±30

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

0.9

3.1

5.5

2.5

0.25

-55到+150

300

功率耗散（T

= 25℃)

- 减额

上述25 °

, T

英镑

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

1/8 ？从案例5秒

热阻特性

符号

θJC

θJA

结到外壳

结到环境*

结到环境

参数

典型值。

马克斯。

4.0

110

℃/W

单位

*当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）

◎

SEMIHOW REV.A0 ， 2005年12月

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