HFD1N70 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HFD1N70
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内容描述：	700V N沟道MOSFET [700V N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 723 K
品牌：	SEMIHOW [ SEMIHOW CO.,LTD. ]

HFD1N70 / HFU1N70

典型特征

图1.地区特点

图2.传输特性

DS （ ON）

, [Ω]

漏源导通电阻

0.0

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

= 10V

= 20V

*注：t

= 25

1.8

2.1

2.4

2.7

，漏电流[ A]

图3.导通电阻变化VS

漏电流和栅极电压

图4.体二极管正向电压

变化与源电流

和温度

250

国际空间站

200

国际空间站

= C

+ C

=短路）

OSS

= C

+ C

RSS

= C

，栅源电压[V]

= 140V

= 350V

电容[ pF的]

150

= 560V

100

OSS

RSS

※

注意;

1. V

= 0 V

2. F = 1 MHz的

*注：我

= 0.8 A

-1

，漏源电压[V]

，总栅极电荷[ NC ]

图5.电容特性

图6.栅极电荷特性

◎

SEMIHOW REV.A0 ， 2008年12月

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