HFD5N65S 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HFD5N65S
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内容描述：	650V N沟道MOSFET [650V N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 983 K
品牌：	SEMIHOW [ SEMIHOW CO.,LTD. ]

HFD5N65S_HFU5N65S

2010年3月

DSS

= 650 V

HFD5N65S / HFU5N65S

650V N沟道MOSFET

特点



有创意的新设计



高级雪崩坚固的技术



强劲的栅极氧化层技术



非常低的固有电容



优良的开关特性



无与伦比的闸电荷： 10.5 NC （典型值）。



扩展安全工作区



低ř

DS （ ON）

： 2.3 Ω （典型值） @V

=10V



100％的雪崩测试

DS （ ON）（典型值）

= 2.3 Ω

= 4.0 A

D- PAK

I- PAK

HFD5N65S

HFU5N65S

1.Gate 2.排水3.源

绝对最大额定值

符号

DSS

dv / dt的

漏源电压

漏电流

栅源电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功率耗散（T

= 25℃) *

= 25 ℃除非另有规定

参数

价值

650

单位

V / ns的

W/℃

℃

- 连续（T

= 25℃)

- 连续（T

= 100℃)

- 脉冲

（注1 ）

4.0

2.3

16.0

±30

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

180

4.0

9.1

4.5

2.5

0.73

-55到+150

300

功率耗散（T

= 25℃)

- 减免上述25 ℃

, T

英镑

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

1/8 ？从案例5秒

热阻特性

符号

θJC

θJA

结到外壳

结到环境*

结到环境

参数

典型值。

马克斯。

1.37

110

℃/W

单位

*当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）

◎

SEMIHOW REV.A0 ， 2010年3月

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