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HFP10N60S 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HFP10N60S
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内容描述: 600V N沟道MOSFET [600V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 860 K
品牌: SEMIHOW [ SEMIHOW CO.,LTD. ]
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HFP10N60S
2007年11月
BV
DSS
= 600 V
HFP10N60S
600V N沟道MOSFET
特点
q
有创意的新设计
q
高级雪崩坚固的技术
q
强劲的栅极氧化层技术
q
非常低的固有电容
q
优良的开关特性
q
无与伦比的闸电荷: 29 NC (典型值)。
q
扩展安全工作区
q
低ř
DS ( ON)
: 0.67 Ω (典型值) @V
GS
=10V
q
100%的雪崩测试
R
DS ( ON) (典型值)
= 0.67 Ω
I
D
= 9.5 A
TO-220
1
2
3
1.Gate 2.排水3.源
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源电压
漏电流
漏电流
漏电流
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
= 25 ℃除非另有规定
参数
价值
600
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W/℃
- 连续(T
C
= 25℃)
- 连续(T
C
= 100℃)
- 脉冲
(注1 )
9.5
5.7
38
±30
(注2 )
(注1 )
(注1 )
(注3)
700
9.5
15.6
4.5
156
1.25
-55到+150
300
功率耗散(T
C
= 25℃)
- 减免上述25 ℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的,
1/8 ?从案例5秒
热阻特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
外壳到散热器
结到环境
参数
典型值。
--
0.5
--
马克斯。
0.8
--
62.5
℃/W
单位
SEMIHOW REV.A0 , 2007年11月