HFP2N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HFP2N60
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内容描述：	600V N沟道MOSFET [600V N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 722 K
品牌：	SEMIHOW [ SEMIHOW CO.,LTD. ]

HFP2N60

典型特征

（续）

图7.击穿电压变化

与温度

图8.导通电阻变化

与温度

2.0

，漏电流[ A]

1.5

1.0

0.5

0.0

100

125

150

，外壳温度[

℃]

图9.最高安全工作区

图10.最大漏极电流

VS外壳温度

？ JC

热响应

(t),

D=0.5

0.2

0.1

-1

0.05

0.02

0.01

※

注意事项：

(t)

1. Z

？ JC

= 2.32

℃/

马克斯。

2.占空比，D = T

3. T

- T

= P

* Z

？ JC

(t)

单脉冲

-2

-3

-5

-4

-2

-1

，方波脉冲持续时间（秒）

图11.瞬态热响应曲线

◎

SEMIHOW REV.A0 2005年6月

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