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HFP4N50 参数 Datasheet PDF下载

HFP4N50图片预览
型号: HFP4N50
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内容描述: 500V N沟道MOSFET [500V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 703 K
品牌: SEMIHOW [ SEMIHOW CO.,LTD. ]
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HFP4N50
典型特征
(续)
BV
DSS
(归一化)
漏源击穿电压
T
J
,结温[
o
C]
R
DS ( ON)
(归一化)
漏源导通电阻
T
J
,结温[
o
C]
图7.击穿电压变化
与温度
4
在这一领域
由R有限公司
DS ( ON)
图8.导通电阻变化
与温度
10
1
100
µs
1毫秒
10毫秒
I
D
,漏电流[ A]
10
0
100毫秒
DC
I
D
,漏电流[ A]
3
2
10
-1
*注意:
1. T
C
= 25
o
C
2. T
J
= 150
o
C
3.单脉冲
1
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
3
0
25
50
75
100
o
125
150
V
DS
,漏源电压[V]
T
C
,外壳温度[C]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
VS外壳温度
Z
θJC
(T ) ,热响应
10
0
D=0.5
0.2
0.1
10
-1
0.05
0.02
0.01
*注意:
1. Z
θJC
(t) = 1.78
o
C / W最大。
2.占空比,D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θJC
(t)
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
10
1
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
t
1
,方波脉冲持续时间(秒)
图11.瞬态热响应曲线
SEMIHOW REV.A0 , 2005年7月