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HFP630 参数 Datasheet PDF下载

HFP630图片预览
型号: HFP630
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内容描述: 200V N沟道MOSFET [200V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 296 K
品牌: SEMIHOW [ SEMIHOW CO.,LTD. ]
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HFP630
2005年7月
BV
DSS
= 200 V
HFP630
200V N沟道MOSFET
特点
有创意的新设计
高级雪崩坚固的技术
强劲的栅极氧化层技术
非常低的固有电容
优良的开关特性
无与伦比的闸电荷: 22 NC (典型值)
(典型值)。
扩展安全工作区
低ř
DS ( ON)
: 0.34
(典型值) @V
GS
=10V
100%的雪崩测试
R
DS ( ON) (典型值)
= 0.34
I
D
= 9 A
TO-220
1
2
3
1.Gate 2.排水3.源
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源
漏源电压
漏电流
漏电流
漏电流
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
= 25 ℃除非另有规定
参数
- 连续(T
C
= 25℃)
- 连续(T
C
= 100℃)
- 脉冲
(注1 )
价值
200
9.0
5.7
36
±30
(注2 )
(注1 )
(注1 )
(注3)
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W/℃
160
9.0
90
7.2
5.5
72
0.57
-55到+150
300
功率耗散(T
C
= 25℃)
- 减免上述25 ℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的,
1/8 ?从案例5秒
热阻特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
外壳到散热器
结到环境
J
i
一种双
参数
典型值。
--
0.5
--
马克斯。
1.74
--
62.5
62 5
℃/W
单位
◎ SEMIHOW REV.A0 , 2005年7月