HFS35N75 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HFS35N75
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内容描述：	75V N沟道MOSFET [75V N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 810 K
品牌：	SEMIHOW [ SEMIHOW CO.,LTD. ]

HFS35N75

2008年12月

DSS

= 75 V

HFS35N75

75V N沟道MOSFET

特点



有创意的新设计



高级雪崩坚固的技术



强劲的栅极氧化层技术



非常低的固有电容



优良的开关特性



无与伦比的闸电荷： 40 NC （典型值）。



扩展安全工作区



低ř

DS （ ON）

： 0.024 Ω （典型值） @V

=10V



100％的雪崩测试

DS （ ON）（典型值）

= 24mΩ

= 35 A

TO-220F

1.Gate 2.排水3.源

绝对最大额定值

符号

DSS

dv / dt的

, T

英镑

漏源电压

漏电流

栅源电压

= 25 ℃除非另有规定

参数

价值

单位

V / ns的

W/℃

℃

- 连续（T

= 25℃)

- 连续（T

= 100℃)

- 脉冲

（注1 ）

35*

25*

140*

±30

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功率耗散（T

= 25℃)

- 减免上述25 ℃

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

580

5.5

0.32

-55到+175

300

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

1/8 ？从案例5秒

*漏电流受最高结温

热阻特性

符号

θJC

θJA

结到外壳

结到环境

参数

典型值。

马克斯。

3.75

62.5

℃/W

单位

◎

SEMIHOW REV.A0 ， 2008年12月

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