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    HFU3N80 参数 Datasheet PDF下载

    HFU3N80图片预览
    型号： HFU3N80
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 800V N沟道MOSFET [800V N-Channel MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 1198 K
    品牌： SEMIHOW [ SEMIHOW CO.,LTD. ]
     浏览型号HFU3N80的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HFU3N80的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HFU3N80的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HFU3N80的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HFU3N80的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HFU3N80的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HFU3N80的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HFU3N80的Datasheet PDF文件第9页  
    HFD3N80/HFU3N80
    典型特征
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    V
    DS
    ，漏源电压[V]
    V
    GS
    ，栅源电压[V]
    图1.地区特点
    图2.传输特性
    I
    DR
    ，反向漏电流[ A]
    R
    DS （ ON）
    , [Ω]
    漏源导通电阻
    10
    1
    10
    0
    150
    ℃
    25℃
    ※
    注意事项：
    1. V
    GS
    = 0V
    2. 250μ s脉冲测试
    10
    -1
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    1.4
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    V
    SD
    ，源极 - 漏极电压[ V]
    图3.导通电阻变化VS
    漏电流和栅极电压
    1500
    12
    C
    国际空间站
    = C
    gs
    + C
    gd
    (C
    ds
    =短路）
    C
    OSS
    = C
    ds
    + C
    gd
    C
    RSS
    = C
    gd
    图4.体二极管正向电压
    变化与源电流
    和温度
    V
    DS
    = 160V
    1200
    V
    GS
    ，栅源电压[V]
    10
    V
    DS
    = 400V
    V
    DS
    = 640V
    电容[ pF的]
    C
    国际空间站
    900
    8
    C
    OSS
    600
    ※
    注意事项：
    1. V
    GS
    = 0 V
    2. F = 1 MHz的
    6
    4
    300
    C
    RSS
    2
    ※
    注：我
    D
    = 3.0A
    0
    -1
    10
    0
    10
    0
    10
    1
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    V
    DS
    ，漏源电压[V]
    Q
    G
    ，总栅极电荷[ NC ]
    图5.电容特性
    图6.栅极电荷特性
    ◎
    SEMIHOW REV.A0 ， 2005年12月

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