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HFU5N40 参数 Datasheet PDF下载

HFU5N40图片预览
型号: HFU5N40
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内容描述: 400V N沟道MOSFET [400V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 891 K
品牌: SEMIHOW [ SEMIHOW CO.,LTD. ]
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HFD5N40 / HFU5N40
2005年7月
BV
DSS
= 400 V
HFD5N40 / HFU5N40
400V N沟道MOSFET
特点
有创意的新设计
高级雪崩坚固的技术
强劲的栅极氧化层技术
非常低的固有电容
优良的开关特性
无与伦比的闸电荷: 13 NC (典型值)。
扩展安全工作区
低ř
DS ( ON)
: 1.27 Ω (典型值) @V
GS
=10V
100%的雪崩测试
R
DS ( ON) (典型值)
= 1.27 Ω
I
D
= 3.4 A
D- PAK
2
1
1
3
2
3
I- PAK
HFD5N40
HFU5N40
1.Gate 2.排水3.源
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
漏源电压
漏电流
漏电流
漏电流
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散(T
A
= 25℃)
T
C
= 25 ℃除非另有规定
参数
价值
400
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W
W/℃
- 连续(T
C
= 25℃)
- 连续(T
C
= 100℃)
- 脉冲
(注1 )
3.4
2.15
13.6
±30
(注2 )
(注1 )
(注1 )
(注3)
510
3.4
4.5
4.5
2.5
45
0.36
-55到+150
300
功率耗散(T
C
= 25℃)
- 减免上述25 ℃
T
J
, T
英镑
T
L
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的,
1/8 ?从案例5秒
热阻特性
符号
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境*
结到环境
参数
典型值。
--
--
--
马克斯。
2.78
50
110
℃/W
单位
*当安装在推荐的最小焊盘尺寸( PCB安装)
SEMIHOW REV.A0 , 2005年7月