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HFW11N40 参数 Datasheet PDF下载

HFW11N40图片预览
型号: HFW11N40
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内容描述: 400V N沟道MOSFET [400V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 964 K
品牌: SEMIHOW [ SEMIHOW CO.,LTD. ]
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HFW11N40
典型特征
(续)
图7.击穿电压变化
与温度
12
图8.导通电阻变化
与温度
10
2
在这一领域
由R有限公司
DS ( ON)
10
µs
100
µs
10
I
D
,漏电流[ A]
10
1
1毫秒
10毫秒
100毫秒
DC
I
D
,漏电流[ A]
8
10
0
6
4
10
-1
*注意:
1. T
C
= 25
o
C
2. T
J
= 150
o
C
3.单脉冲
2
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
3
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
,漏源电压[V]
T
C
,外壳温度[
℃]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
VS外壳温度
10
0
D=0.5
Z
? JC
(T ) ,热响应
0.2
10
-1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
*注意:
1. Z
θJC
(t) = 0.85
o
C / W最大。
2.占空比,D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θJC
(t)
P
DM
t
1
10
-2
10
-1
10
-2
t
2
10
0
10
1
10
-5
10
-4
10
-3
t
1
,方波脉冲持续时间(秒)
图11.瞬态热响应曲线
SEMIHOW REV.A0 , 2005年12月