SAMWIN
SW100N03
N沟道MOSFET
特点
■
高耐用性
■
R
DS （ ON）
（最大5.3mΩ ） @V
GS
=10V
■
栅极电荷（典型值146nC ）
■
改进的dv / dt能力
■
100％的雪崩测试
1
的TO-220 TO- 251
的TO- 252 TO-263
BV
DSS
: 30V
I
D
: 100A
R
DS （ ON）
: 5.3 mΩ
1
2
3
2
3
1
2
1
3
2
2
3
1
3
1.门2.排水3.源
概述
使用此SAMWIN N沟道增强型场效应功率晶体管
安森美半导体先进的平面条形， DMOS技术，用于电池
操作的系统，如一个直流 - 直流转换器的电机控制，起坐，音频放大器。
此外，特别设计以减少ř
DS （ ON）
，低栅极电荷和高耐用
雪崩特性。
订购代码
项
1
2
3
4
销售类型
SW P 100N03
SW我100N03
SW ð 100N03
SW B 100N03
记号
SW100N03
SW100N03
SW100N03
SW100N03
包
TO-220
TO-251
TO-252
TO-263
包装
管
管
REEL
REEL
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
P
D
T
英镑
, T
J
T
L
漏源极电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
总功率耗散（ @T
C
=25
o
C)
降额超过25因素
o
C
工作结温&储藏温度
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8案件从5秒。
（注2 ）
（注1 ）
参数
价值
30
100
400
±
20
875
100
0.67
-55 ~ + 150
300
单位
V
A
A
V
mJ
W
W/
o
C
o
C
o
C
热特性
符号
R
thJC
R
乡镇卫生院
R
thJA
参数
分钟。
热阻，结到外壳
热电阻，案件水槽
热阻，结到环境
0.5
62.5
价值
典型值。
马克斯。
1.5
o
C / W
o
C / W
o
C / W
单位
六月2011年修订版2.0
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1/5
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