SAMWIN
SW50N06A
N沟道MOSFET
特点
■
高耐用性
■
R
DS （ ON）
（最多0.023
Ω)@V
GS
=10V
■
栅极电荷（典型值30nC ）
■
改进的dv / dt能力
■
100％的雪崩测试
TO-251
TO-252
BV
DSS
: 60V
I
D
: 50A
R
DS （ ON）
： 0.023欧姆
1
2
1 2
3
3
2
1.门2.排水3.源
1
概述
这是功率MOSFET生产与SAMWIN先进的VDMOS技术。
这项技术使功率MOSFET具有更好的特性，
如快速切换时间，低导通电阻，低栅极电荷和特别优异的
雪崩特性。它主要适用于半桥或全桥谐振
拓扑像一个电子镇流器，并且也低功率开关模式电源电器。
3
订购代码
项
1
2
销售类型
SW我50N06A
SW ð 50N06A
记号
SW50N06A
SW50N06A
包
TO-251
TO-252
包装
管
REEL
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
英镑
, T
J
T
L
漏源极电压
连续漏电流（ @T
C
=25
o
C)
连续漏电流（ @T
C
=100
o
C)
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @T
C
=25
o
C)
降额超过25因素
o
C
工作结温&储藏温度
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8案件从5秒。
（注2 ）
（注1 ）
（注3）
（注1 ）
参数
价值
60
50
34
200
±
20
780
13
7
108
0.86
-55 ~ + 150
300
单位
V
A
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
o
C
o
C
* 。漏电流是由结温的限制。
热特性
符号
R
thJC
R
乡镇卫生院
R
thJA
三月2011年修订版2.0
参数
热阻，结到外壳
热电阻，案件水槽
热阻，结到环境
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
1.15
50
62.5
单位
o
C / W
o
C / W
o
C / W
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