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SWF630 参数 Datasheet PDF下载

SWF630图片预览
型号: SWF630
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内容描述: N沟道MOSFET [N-channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 777 K
品牌: SEMIPOWER [ XIAN SEMIPOWER ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD. ]
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SAMWIN
图。 1.在通态特性
图。 2.传输特性
SW630
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
底部: 5.0 V
上图:
10
1
10
1
I
D
,漏电流[ A]
I
D
,漏电流[ A]
150 C
25 C
o
o
o
10
0
10
0
-55 C
¡ Ø注意事项:
1. V
DS
= 30V
2. 250日元是脉冲测试
-1
¡ Ø注意事项:
1. 250元是脉冲测试
2. T
C
= 25،ة
10
-1
10
10
0
10
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
,漏源电压[V]
V
GS
,栅源电压[V]
图。 3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
2.0
图。 4.在目前的状态与
二极管的正向电压
漏源导通电阻[¥ ط ]
I
DR
,反向漏电流[ A]
1.5
10
1
R
DS ( ON)
,
1.0
V
GS
= 10V
10
0
150،ة
25،ة
¡ Ø注意事项:
1. V
GS
= 0V
2. 250日元是脉冲测试
0.5
V
GS
= 20V
¡ Ø注:t
J
= 25،ة
0.0
0
6
12
18
24
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
D
,漏电流[ A]
V
SD
,源极 - 漏极电压[ V]
图。 5.电容特性
(不重复)
1250
C
国际空间站
=C
gs
+C
gd
(C
ds
=短路)
图。 6.栅极电荷特性
12
V
GS
,栅源电压[V]
C
OSS
=C
ds
+C
gd
C
RSS
=C
gd
V
DS
= 200V
10
1000
电容[ pF的]
C
OSS
750
¡ Ø注意事项:
1. V
GS
= 0V
2, F = 1MHz的
V
DS
= 125V
V
DS
= 50V
8
C
国际空间站
500
6
4
250
2
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
¡ Ø注:我
D
= 10A
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
,漏源电压[V]
Q
G
,总栅极电荷[ NC ]
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