SAMWIN
SW1N60
N沟道MOSFET
BV
DSS
: 600V
I
D
: 1.0A
R
DS （ ON）
： 12ohm
1
1 2
2
3
3
1
2
2
3
1
3
特点
■
高耐用性
■
R
DS （ ON）
（最多12
Ω)@V
GS
=10V
■
栅极电荷（最大6nC ）
■
改进的dv / dt能力
■
100％的雪崩测试
TO-251
TO-252
TO-126
1.门2.排水3.源
概述
这是功率MOSFET生产与SAMWIN先进的VDMOS技术。
这种技术使功率MOSFET具有更好的特性，如快速
开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和特别优异的雪崩
的特点。这个功率MOSFET通常使用在高效率的直流 - 直流
转换器块和开关模式电源。
订购代码
项
1
2
3
销售类型
SW L 1N60
SW I 1N60
SW ð 1N60
记号
SW1N60
SW1N60
SW1N60
包
TO-126
TO-251
TO-252
包装
管
管
REEL
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
英镑
, T
J
T
L
漏源极电压
连续漏电流（ @T
C
=25
o
C)
连续漏电流（ @T
C
=100
o
C)
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @T
C
=25
o
C)
降额超过25因素
o
C
工作结温&储藏温度
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8案件从5秒。
（注2 ）
（注1 ）
（注3）
30
0.23
（注1 ）
1.0
0.65
4.0
±
30
52
0.3
4.5
30
0.23
-55 ~ + 150
300
参数
价值
TO-126
TO-251
600
1.0
0.65
4.0
TO-252
单位
V
A
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
o
C
o
C
热特性
符号
R
thJC
R
乡镇卫生院
R
thJA
三月2011年修订版2.0
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大值
TO-126
TO-251
4.2
50
110
TO-252
单位
o
C / W
o
C / W
o
C / W
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