SAMWIN
SW20N60
N沟道功率MOSFET
特点
■
高耐用性MOSFET
■
R
DS （ ON）
（ 0.3Ω最大） @V
GS
=10V
■
栅极电荷（最大80 NC）
■
改进的dv / dt能力
■
100％的雪崩测试
TO-3P
BV
DSS
: 600V
I
D
: 20A*
R
DS （ ON）
： 0.3ohm
1
2
2
3
1
1.门2.排水3.源
概述
这是功率MOSFET生产与SAMWIN先进的VDMOS技术。
这种技术使功率MOSFET具有更好的特性，如
快速的开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和特别优异的
雪崩特性。这种功率MOSFET通常用在高效率的DC到
DC转换器，高效率开关模式电源，功率因数
基于半桥校正，电子镇流器。
3
订购代码
项
1
销售类型
SW W¯¯ 20N60
记号
SW20N60
包
TO-3P
包装
管
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
英镑
, T
J
T
L
漏源极电压
连续漏电流（ @T
C
=25
o
C)
连续漏电流（ @T
C
=100
o
C)
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @T
C
=25
o
C)
降额超过25因素
o
C
工作结温&储藏温度
最大无铅焊接温度的目的，
1/8案件从5秒。
（注2 ）
（注1 ）
（注3）
（注1 ）
参数
SW20N60
600
20
14
80
±
30
1100
30
4.5
300
2.38
-55 ~ + 175
300
单位
V
A
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
o
C
o
C
热特性
符号
R
thJC
R
乡镇卫生院
R
thJA
参数
分钟。
热阻，结到外壳
热电阻，案件水槽
热阻，结到环境
0.24
40
价值
典型值。
马克斯。
0.42
o
C / W
o
C / W
o
C / W
单位
三月2011年修订版2.0
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