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    SFB95N03L 参数 Datasheet PDF下载

    SFB95N03L图片预览
    型号： SFB95N03L
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 逻辑N沟道MOSFET [Logic N-Channel MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 1188 K
    品牌： SEMIWELL [ SEMIWELL SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号SFB95N03L的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SFB95N03L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SFB95N03L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SFB95N03L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SFB95N03L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SFB95N03L的Datasheet PDF文件第7页  
    SFB95N03L
    电气特性
    符号
    开关特性
    BV
    DSS
    Δ
    BV
    DSS
    /
    Δ
    T
    J
    I
    DSS
    漏源击穿电压
    击穿电压温度
    系数
    漏极 - 源极漏电流
    门源泄漏，正向
    栅源泄漏，反向
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250uA
    I
    D
    = 250uA ，参考25 ℃下
    V
    DS
    = 30V, V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 24V ，T
    C
    = 150 °C
    V
    GS
    = 20V, V
    DS
    = 0V
    V
    GS
    = -20V, V
    DS
    = 0V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250uA
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 47.5A
    V
    GS
    = 5 V，I
    D
    = 47.5A
    30
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    0.023
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    10
    100
    -100
    V
    V /°C的
    uA
    uA
    nA
    nA
    ( T
    C
    = 25 ° C除非另有说明）
    参数
    测试条件
    民
    典型值
    最大
    单位
    I
    GSS
    基本特征
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    栅极阈值电压
    静态漏源导通状态电阻
    tance
    1.0
    -
    -
    -
    0.0065
    0.0085
    3.0
    0.0085
    0.0115
    V
    Ω
    动态特性
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    V
    GS
    =0 V, V
    DS
    = 25V ， F = 1MHz的
    -
    -
    -
    1015
    845
    185
    1320
    1110
    240
    pF
    动态特性
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅 - 漏极电荷（米勒电荷）
    V
    DS
    =24V, V
    GS
    = 5V ，我
    D
    =95A
    ※
    参照图12 。
    （注4,5）
    -
    V
    DD
    = 15V ，我
    D
    = 95A ，R
    G
    =50Ω
    ※
    参见图。 13 。
    （注4,5）
    45
    165
    70
    140
    39
    13
    18
    100
    340
    150
    290
    51
    -
    -
    nC
    ns
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    源极 - 漏极二极管额定值和特性
    符号
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    参数
    连续源电流
    脉冲源电流
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    测试条件
    积分反向的P- N结
    二极管在MOSFET
    I
    S
    = 95A ，V
    GS
    =0V
    I
    S
    =95A,V
    GS
    =0V,dI
    F
    /dt=100A/us
    分钟。
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    55
    65
    马克斯。
    95
    380
    1.5
    -
    -
    单元。
    A
    V
    ns
    nC
    ※
    笔记
    1. Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温
    2， L = 50呃，我
    AS
    = 95A ，V
    DD
    = 15V ，R
    G
    = 0Ω ，起始物为
    J
    =
    25°C
    3. ISD
    ≤
    95A ， di / dt的
    ≤
    300A / us的，V
    DD
    ≤
    BV
    DSS
    ，起始物为
    J
    =
    25°C
    4.脉冲测试：脉冲宽度
    ≤
    300US ，占空比
    ≤
    2%
    5.基本上是独立的工作温度。
    由最高结温计算6.连续漏电流;受包
    2/7

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