初步
SEMIWELL
半导体
SFD30N06
N沟道MOSFET
特点
■
■
■
■
■
低R
DS
（上） （ 0.04Ω ） @V
GS
=10V
栅极电荷（典型值27nC ）
改进的dv / dt能力
100％的雪崩测试
最高结温范围（ 150 ° C）
符号
●
2.漏
1.门
◀
●
●
▲
3.源
概述
这是功率MOSFET采用SEMIWELL先进的生产
平面条形， DMOS技术。这一最新技术已
尤其是旨在最大限度地减少通态电阻，具有低
与出色的开关性能的栅极电荷，并且坚固耐用
雪崩特性。这是功率MOSFET非常适合
用于同步DC -DC转换器和电源管理
便携式和电池供电产品。
D- PACK （ TO- 252 ）
2
1
3
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
dv / dt的
P
D
T
英镑，
T
J
T
L
漏源极电压
连续漏电流（ @T
C
= 25
°C)
连续漏电流（ @T
C
= 100
°C)
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @T
A
= 25 °C)
总功率耗散（ @T
C
= 25 °C)
高于25 ℃的降额因子
工作结温&储藏温度
最大无铅焊接温度的目的，
1/8案件从5秒。
（注2 ）
（注3）
（注1 ）
参数
价值
60
23
15
92
±20
430
7.0
2.5
44
0.35
- 55 ~ 150
300
单位
V
A
A
A
V
mJ
V / ns的
W
W
W / ℃，
°C
°C
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
价值
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
2.85
110
单位
° C / W
° C / W
十二月， 2002年修订版0 。
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