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SFF10N60 参数 Datasheet PDF下载

SFF10N60图片预览
型号: SFF10N60
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内容描述: N沟道MOSFET [N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 99 K
品牌: SEMIWELL [ SEMIWELL SEMICONDUCTOR ]
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SFF10N60
开关特性
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
条件
典型值。
25
最大
单位
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DD
= 300V ,我
D
= 10.0A
开启上升时间
R
G
= 25
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 480V ,我
D
= 10.0A
V
GS
= 10V
70
140
80
48
7.0
(注4,5 )
(注4,5 )
18
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时,我
s
= 10.0A
V
GS
= 0V时,我
s
= 10.0A
dl
F
/ DT = 100 A /美
(注4 )
430
4.3
10
40
1.4
A
A
V
nS
uC
笔记
1.重复额定值:脉冲宽度有限的最高结温
2, L = 13mH ,我
AS
= 10.0A ,V
DD
= 50V ,R
G
= 25
,起始物为
J
= 25
3. I
SD
≤ 10.0A ,的di / dt ≤ 200A / us的,V
DD
= BV
DSS
,起始物为
J
= 25
4.脉冲测试:脉冲宽度≤ 300US ,占空比≤ 2 %
5.基本上是独立的工作温度
3/3