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SFF7N60 参数 Datasheet PDF下载

SFF7N60图片预览
型号: SFF7N60
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内容描述: N沟道MOSFET [N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 310 K
品牌: SEMIWELL [ SEMIWELL SEMICONDUCTOR ]
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SFF7N60
N沟道MOSFET
特点
R
DS ( ON)
最大1.2欧姆在V
GS
= 10V
栅极电荷(典型29.0nC )
提高dv / dt能力,快速开关
100%的雪崩测试
概述
该MOSFET采用先进的平面带生产
DMOS
技术。
最新
技术
一直
尤其是旨在最大限度地减少通态电阻有
高雪崩坚固耐用的特点。这些设备都很好
适用于高效率开关模式电源主动
功率因数校正。基于半桥电子灯
拓扑
绝对最大额定值(T
J
= 25℃
除非另有规定编)
符号
V
DSS
I
D
漏源电压
漏电流
T
C
=25℃
参数
评级
600
7
单位
V
A
T
C
=100℃
V
GSS
I
DM
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
j
, T
英镑
栅源电压
漏电流
脉冲
(注1 )
(注2 )
(注1 )
(注3)
4.3
±
30
28
267
15.2
4.5
152
-45 ~ 150
V
A
mJ
mJ
V / ns的
W
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散T
C
=25℃
操作和存储温度范围