SEMIWELL
半导体
三社电机
特点
■
■
■
■
■
■
SFP830
N沟道MOSFET
符号
●
制成的
高耐用性
R
DS （ ON）
（最大1.5
Ω
)@V
GS
=10V
栅极电荷（典型值28nC ）
改进的dv / dt能力
100％的雪崩测试
最高结温范围（ 150 ° C）
2.漏
1.门
◀
●
●
▲
3.源
概述
这是功率MOSFET采用SEMIWELL先进的生产
平面条形， DMOS技术。这一最新技术已
尤其是旨在最大限度地减少通态电阻，具有较高的
坚固耐用的雪崩特性。该器件是特别完善
适用于半桥和全桥谐振topolgy像
电子镇流器。
TO-220
1 2
3
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
英镑，
T
J
T
L
漏源极电压
连续漏电流（ @T
C
= 25
°C)
连续漏电流（ @T
C
= 100
°C)
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @T
C
= 25 °C)
高于25 ℃的降额因子
工作结温&储藏温度
最大无铅焊接温度的目的，
1/8案件从5秒。
（注2 ）
（注1 ）
（注3）
（注1 ）
参数
价值
500
4.5
2.9
18
单位
V
A
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
±
30
390
7.4
3.5
74
0.59
- 55 ~ 150
300
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，案件水槽
热阻，结到环境
价值
分钟。
-
-
-
典型值。
-
0.5
-
马克斯。
1.7
-
62
单位
° C / W
° C / W
° C / W
六月， 2003年第1版。
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