SEMIWELL
半导体
SFS9926
双N沟道MOSFET
特点
■
低R
DS （ ON）
(0.030Ω )@V
GS
=4.5V
低R
DS （ ON）
(0.043Ω )@V
GS
=2.5V
栅极电荷（典型值14nC ）
改进的dv / dt能力
最高结温范围（ 150 ° C）
可用磁带和卷轴
符号
D
2
D
2
D
1
D
1
5
6
7
8
4
3
2
1
G
2
S
2
G
1
S
1
■
■
■
■
概述
这是功率MOSFET采用SEMIWELL先进的生产
平面条形， DMOS技术。这一最新技术已
尤其是旨在最大限度地减少通态电阻，具有低
与出色的开关性能的栅极电荷，并且坚固耐用
雪崩特性。这是功率MOSFET非常适合
用于电池保护电路，负荷开关等电力
管理应用程序。
8-SOIC
D
1
D
2
D
2
D
1
S
1
G
1
G
S
2 2
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
T
英镑，
T
J
T
L
漏源极电压
连续漏电流（ @T
A
= 25
°C)
漏电流脉冲
栅极至源极电压
总功耗单操作（T
A
=25
°C
)
总功耗单操作（T
A
=70
°C
)
工作结温&储藏温度
最大无铅焊接温度的目的，
1/8案件从5秒。
（注1 ）
参数
价值
20
6.5
30
单位
V
A
A
V
W
W
°C
°C
±
12
2.0
1.28
- 55 ~ 150
300
热特性
符号
R
θJA
参数
热阻，结到环境
（注4 ）
价值
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
62.5
单位
° C / W
十二月， 2002年修订版0 。
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