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SIM100D12SV1 参数 Datasheet PDF下载

SIM100D12SV1图片预览
型号: SIM100D12SV1
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内容描述: 半桥IGBT [HALF-BRIDGE IGBT]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 502 K
品牌: SEMIWELL [ SEMIWELL SEMICONDUCTOR ]
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初步
SIM100D12SV1
V
CES
= 1200V
IC = 100A
V
CE (ON)的
(典型值) 。 = 1.7V
@ IC = 100A
“半桥” IGBT
特点
●海沟
门+现场瓶塞,用
英飞凌芯片设计
为10μs短路能力
低关断损耗
尾短电流超过18KHZ
正V
CE
(上)
温度COEF网络cient
应用
AC &直流电机控制
VVVF逆变器
优化高频逆变器
式焊接机
高频开关电源
UPS ,机器人
包装: V1
绝对最大额定值
@ TC = 25 ℃ (每站)
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
F
I
FM
T
SC
V
ISO
T
j
T
英镑
重量
MOUNTING
力矩
参数
集电极 - 发射极电压
门极电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
短路承受时间
隔离电压测试
结温
储存温度
模块的重量
电源端子螺丝: M5
终端连接螺丝: M5
V
GE
= 0V,
条件
I
C
= 500
µA
评级
1200
± 20
单位
V
V
A
A
A
A
T
C
= 80℃(25℃)
T
C
= 25℃
T
C
= 80℃(25℃)
TC=(25℃)
100(140)
200
100(140)
200
10
µs
V
g
Nm
Nm
AC 1分钟
2500
-40 ~ 150
-40 ~ 125
190
3.5
3.5
-1-