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SIM200D06AV2 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SIM200D06AV2
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内容描述: “半桥” IGBT [“HALF-BRIDGE” IGBT]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 182 K
品牌: SEMIWELL [ SEMIWELL SEMICONDUCTOR ]
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初步
SIM200D06AV2
V
CES
= 600V
IC = 200A
V
CE (ON)的
(典型值) 。 = 1.6V
@ IC = 200A
“半桥” IGBT
特征
智能现场塞+海沟
设计技术
低V
CE
(SAT)
低关断损耗
尾短电流超过20kHz
应用
电机控制
VVVF逆变器
逆变式焊接MC超过18KHZ
开关电源,电解
UPS / EPS ,机器人
PKG : V2 = 48毫米
绝对最大额定值
@ TJ = 25 ℃ (每站)
符号
V
CES
V
GE
I
C
I
CP
I
F
I
FM
t
p
V
ISO
重量
Tj
TSTG
Md
参数
集电极 - 发射极电压
门极电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
短路试验,V
GE
= 15V, V
CC
= 360V
隔离电压测试
模块的重量
结温
储存温度
安装扭矩螺钉: M5
终端连接扭矩: M5
T
C
=
25℃
条件
评级
600
±
20
单位
V
V
A
A
A
A
V
g
牛米
牛米
T
C
= 80℃
(25℃)
T
C
=
25℃
T
C
= 80℃
(25℃)
T
C
=
25℃
T
C
= 150℃
(25℃)
AC @ 1分钟
200 (290)
450
200 (290)
400
6 (8)
2500
190
-40 ~ 150
-40 ~ 125
2.0
2.0
静态特性
@ TJ = 25 ℃ (除非另有说明)
参数
V
CE (ON)的
V
GE (日)
I
CES
I
GES
V
F
R
GINT
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
零栅极电压集电极电流
门极 - 发射极漏电流
正向电压降
集成门极电阻
典型值
1.60
5.8
1.6
2
最大
1.95
单位
V
测试条件
I
C
= 200A ,V
GE
= 15V
V
CE
= V
GE,
I
C
= 4㎃
6.5
5.0
400
1.9
V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
CE
= 0V, V
GE
=
20V
I
F
= 200A
-1-