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    SIM200D12SV3 参数 Datasheet PDF下载

    SIM200D12SV3图片预览
    型号： SIM200D12SV3
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 半桥IGBT模块 [HALF-BRIDGE IGBT MODULE]
    分类和应用： 双极性晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 492 K
    品牌： SEMIWELL [ SEMIWELL SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号SIM200D12SV3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SIM200D12SV3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SIM200D12SV3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SIM200D12SV3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SIM200D12SV3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SIM200D12SV3的Datasheet PDF文件第7页  
    初步
    SIM200D12SV3
    V
    CES
    = 1200V
    IC = 200A
    V
    CE （ON）的
    （典型值） 。 = 1.7V
    @ IC = 200A
    “半桥” IGBT模块
    特点
    ●海沟
    门+现场瓶塞，用
    英飞凌芯片设计
    ▪
    为10μs短路能力
    ▪
    低关断损耗
    ▪
    尾短电流超过18KHZ
    ▪
    正V
    CE
    （上）
    温度COEF网络cient
    应用
    ▪
    AC &直流电机控制
    ▪
    VVVF逆变器
    ▪
    优化高频逆变器
    式焊接机
    ▪
    SMPS
    ▪
    UPS ，机器人
    包装： V3
    绝对最大额定值
    @ TJ = 25 ℃ （每站）
    符号
    V
    CES
    V
    GES
    I
    C
    I
    CM
    I
    F
    I
    FM
    T
    SC
    V
    ISO
    T
    j
    T
    英镑
    重量
    MOUNTING
    力矩
    参数
    集电极 - 发射极电压
    门极电压
    连续集电极电流
    集电极电流脉冲
    二极管连续正向电流
    二极管的最大正向电流
    短路承受时间
    隔离电压测试
    结温
    储存温度
    模块的重量
    电源端子螺丝： M5
    终端连接螺丝： M5
    V
    GE
    = 0V,
    条件
    I
    C
    =
    1.0mA
    评级
    1200
    ± 20
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    A
    µs
    V
    ℃
    ℃
    g
    Nm
    Nm
    T
    C
    = 80℃(25℃)
    T
    C
    = 25℃
    T
    C
    = 80℃(25℃)
    Tc=25℃
    200(260)
    400
    200(260)
    400
    10
    AC 1分钟
    2500
    -40 ~ 150
    -40 ~ 125
    360
    3.5
    3.5
    电气特性
    @ TJ = 25 ℃ （除非另有说明）
    符号
    V
    （ BR ） CES
    V
    CE （ON）的
    V
    GE （日）
    I
    CES
    I
    GES
    参数
    集电极 - 发射极击穿电压
    集电极 - 发射极饱和电压
    栅极阈值电压
    零栅极电压集电极电流
    门极 - 发射极漏电流
    民
    1200
    1.4
    5.0
    -
    -
    典型值
    -
    1.7
    5.8
    -
    -
    最大
    -
    2.15
    6.5
    1.0
    ± 200
    单位
    测试条件
    V
    GE
    =
    0V ，我
    C
    = 1.0m
    A
    V
    I
    C
    = 200A,
    V
    GE
    =
    15V
    V
    CE
    = V
    GE，
    I
    C
    = 500
    µA
    V
    CE
    = 1200V
    V
    GE
    = ± 20V
    mA
    nA
    V
    GE
    = 0V,
    V
    CE
    = 0V,
    -1-

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