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SIM75D06AV1 参数 Datasheet PDF下载

SIM75D06AV1图片预览
型号: SIM75D06AV1
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内容描述: “半桥” IGBT模块 [“HALF-BRIDGE” IGBT MODULE]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 187 K
品牌: SEMIWELL [ SEMIWELL SEMICONDUCTOR ]
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初步
SIM75D06AV1
V
CES
= 600V
IC = 75A
V
CE (ON)的
(典型值) 。 = 1.5V
@ IC = 75A
“半桥” IGBT模块
特征
智能现场塞+海沟
设计技术
低V
CE
(SAT)
低关断损耗
尾短电流超过20kHz
应用
电机控制
VVVF逆变器
逆变式焊接MC超过18KHZ
开关电源,电解
UPS / EPS ,机器人
包装: V1
绝对最大额定值
@ TJ = 25 ℃ (每站)
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
F
I
FM
t
p
V
ISO
Tj
TSTG
重量
Md
参数
集电极 - 发射极电压
门极电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
短路试验,V
GE
= 15V, V
CC
= 360V
隔离电压测试
结温
储存温度
模块的重量
安装扭矩螺钉: M5
终端连接扭矩: M5
T
C
=
25℃
条件
评级
600
±
20
单位
V
V
A
A
A
A
V
g
牛米
牛米
T
C
= 80℃
(25℃)
T
C
=
25℃
T
C
= 80℃
(25℃)
T
C
=
25℃
T
C
= 150℃
(25℃)
AC @ 1分钟
75 (100)
140
75 (100)
140
6 (8)
2500
-40 ~ 150
-40 ~ 125
190
2.0
2.0
静态特性
@ TJ = 25 ℃ (除非另有说明)
参数
V
CE (ON)的
V
GE (日)
I
CES
I
GES
V
F
R
GINT
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
零栅极电压集电极电流
门极 - 发射极漏电流
二极管的正向压降
集成门极电阻
典型值
1.50
最大
单位
V
测试条件
I
C
= 75A
,
V
GE
= 15V
V
CE
= V
GE,
I
C
= 4㎃
5.8
1.6
4
5.0
400
2.0
V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
CE
= 0V, V
GE
=
20V
I
F
= 75A ,V
GE
= 0V
-1-