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    SC1189SWTR 参数 Datasheet PDF下载

    SC1189SWTR图片预览
    型号： SC1189SWTR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 可编程同步DC / DC转换器，双路LDO控制器 [Programmable Synchronous DC/DC Converter, Dual LDO Controller]
    分类和应用： 转换器控制器
    文件页数/大小： 16 页 / 276 K
    品牌： SEMTECH [ SEMTECH CORPORATION ]
     浏览型号SC1189SWTR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SC1189SWTR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SC1189SWTR的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SC1189SWTR的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SC1189SWTR的Datasheet PDF文件第10页浏览型号SC1189SWTR的Datasheet PDF文件第11页浏览型号SC1189SWTR的Datasheet PDF文件第12页浏览型号SC1189SWTR的Datasheet PDF文件第13页  
    SC1189
    电源管理
    组件选择
    魔力
    S魔力节
    电容器
    输出电容 - 选择开始最
    重要组成部分。由于快速的瞬态负载电流
    在现代微处理器内核电源要求，
    输出电容必须提供所有的瞬态负载电流
    要求，直到电流在输出电感器斜面
    到新的水平。因此，输出电容的ESR是
    的最重要的标准。最大ESR可以
    简单地由下式计算：
    R
    ESR
    ≤
    哪里
    V
    t
    =
    最大瞬态电压偏移
    I
    t
    =
    瞬态电流阶跃
    V
    t
    I
    t
    和0％占空比能力，所以一些津贴必须是
    进行。选择50的电感值的75％的
    计算最高将保证电感电流
    租金斜坡速度不够快，以减少下降的电压
    在ESR以更快的速率大于电容器骤降，
    从而确保恢复良好瞬态无
    额外的旅行。
    我们也必须在输出纹波电流有关
    放电感和一般的经验法则一直
    允许的最大输出电流为脉动电流的10％。
    注意，大多数的输出电压纹波由产生
    电感纹波电流流过输出电容
    ESR 。纹波电流可从下式计算：
    I
    L
    纹波
    =
    V
    IN
    4
    ⋅
    L
    ⋅
    f
    OSC
    例如，为了满足一个100mV的瞬时限带10A
    加载步骤中，输出电容器的ESR必须小于
    为10mΩ 。为满足这种血沉水平中，有三个
    现有电容器技术。
    每个盖帽。
    技术
    C
    (µF)
    330
    330
    1500
    ESR
    (m
    Ω)
    60
    25
    44
    总
    ESR
    (m
    Ω)
    10
    8.3
    8.3
    纹波电流津贴定义最小许可证─
    泰德电感值。
    功率FET - 该场效应晶体管基于多个所拣选
    动力
    标准，与可能是最重要的是权力
    功耗和功率处理能力。
    TOP FET - 在顶部FET的功耗是一个combi-
    的传导损耗，开关损耗和底部国家
    FET体二极管恢复损耗。
    一）导通损耗都简单地计算为：
    2
    P
    COND
    =
    I
    O
    ⋅
    R
    DS （ ON）
    ⋅ δ
    数量。
    RQD 。 ç
    (µF)
    6
    3
    5
    低ESR的钽
    OS- CON
    低ESR铝
    2000
    990
    7500
    哪里
    δ
    - 占空比
    ≈
    V
    O
    V
    IN
    其中使用的选择是简单地成本/性能
    问题，与低ESR铝是最便宜的，但
    占用了大部分空间。
    电感器 - 在决定一个合适的类型和值
    IN-的输出电容，最大允许值
    导体可以计算出来。过大的电感会亲
    达斯慢电流斜坡速率和将导致输出
    电容器来提供更多的瞬时负载电流的
    对于更长 - 通向下面的一个输出电压暂降
    ESR游览上面计算。
    最大电感值可从下式计算：
    L
    ≤
    R
    ESR
    C
    ⋅
    V
    A
    I
    t
    B）开关损耗可通过假设一个开关来估计
    荷兰国际集团时，如果我们假设为100ns ，则：
    P
    SW
    =
    I
    O
    ⋅
    V
    IN
    ⋅
    10
    −
    2
    或更一般地，
    P
    SW
    =
    I
    O
    ⋅
    V
    IN
    ⋅
    ( t
    r
    +
    t
    f
    )
    ⋅
    f
    OSC
    4
    其中，V
    A
    为V的小
    O
    or
    (
    V
    IN
    −
    V
    O
    )
    三）体二极管恢复损耗就比较难估算
    交配，但以第一近似值，这是合理的AS-
    苏木即在底部的FET本体二 - 所存储的电荷
    赋将通过顶场效应管，因为它开始转动移动
    上。在顶部FET所产生的功耗将是：
    P
    RR
    =
    Q
    RR
    ⋅
    V
    IN
    ⋅
    f
    OSC
    计算出的最大电感值假定100 ％
    一阶近似，可以很方便地只CON-
    2007 Semtech公司公司
    9
    www.semtech.com

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