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SC1205HSTR图片预览
型号: SC1205HSTR
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内容描述: 高速syncronous功率MOSFET驱动器 [high speed syncronous power mosfet driver]
分类和应用: 驱动器MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管信息通信管理
文件页数/大小: 13 页 / 228 K
品牌: SEMTECH [ SEMTECH CORPORATION ]
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高速同步电源
MOS.ET驱动程序
电源管理
描述
该SC1205H是一个符合成本效益,
高驱动电压,
双MOS.ET驱动器,设计用于切换高,低
侧电源MOS.ETs 。每个驱动器能够超超的
快速上升/下降时间以及一个20ns的最大传播
从输入转换推迟到电源.ET ?? S的大门。
内部的重叠保护电路可防止拍摄开启
通过从VIN至GND的主要和同步
MOS.ETs 。自适应重叠保护电路恩
祖雷斯贝尔底部.ET不会打开,直到前.ET
源已经达到了电压足够低,以防止
跨导。
8V的较高的栅极电压驱动能力(顶部和
底部)优化降低功耗MOS.ETs的RDS_ON
没有过多的驱动程序和.ET开关损耗。该
高电流驱动能力( 5A峰值),可以快速开关
荷兰国际集团,从而降低开关损耗高(最高可达1MHz )
频率不会造成热应力的驱动程序。
高电压CMOS工艺可工作5
18伏特,在顶部MOS.ET漏电,从而使SC1205H
适用于电池供电的应用。连
使能引脚( EN)为逻辑低电平关闭两个驱动器和
降低工作电流小于10μA 。
欠电压锁定和过温关断模式
断特性包括,以保证正确和安全
操作。在SC1205H中提供了标准的SO- 8
封装。
SC1205H
初步
.eatures
K
更高的效率( >90 % )
K
.ast上升和下降时间( 15ns的典型有3000pF的
负载)
K
更高
栅极驱动电压( 8V ) ,以获得最佳
MOS.ET RDS_ON以最低的开关损耗
K
超低( <20ns )传播延迟( BG变低)
K
5安培的峰值驱动电流
K
自适应非重叠栅极驱动器提供
贯通保护
K
.loating顶驱切换至18V
K
欠压锁定功能
K
过温关断
K
小于10
µ
供电电流,当EN为低电平
K
低成本
应用
K
K
K
K
K
英特尔奔腾
TM
电源
AMD速龙
TM
和K8
TM
电源
高效率的便携式计算机和笔记本电脑
电池供电应用
高频率( 1.0 MHz)的操作允许使用
小型电感器和低成本的瓶盖代替
电解
典型应用电路
输入电压5-12V
2200uf
10u,CER
10nf
10
2.5m
+8V
70N03
1
2
3
4
5
6
7
Rf
8
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
ERROUT
FB
RREF
VCC
Bgout
OC +
OUT1
OUT2
OC-
UVLO
GND
16
15
14
13
12
11
BST
TG
+8V
VS
EN
DRN
70N03
BG
CO
SC1205H
GND
1.5V,40A
70N03
10
9
BST
TG
VS
EN
DRN
70N03
RREF
+8V
SC2422B
CO
Ri
SC1205H
BG
GND
第2版​​, 2002年6月
1
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