SC1405D 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SC1405D
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内容描述：	高速同步功率MOSFET驱动器的SMART [High Speed Synchronous Power MOSFET Smart Driver]
分类和应用：	驱动器
文件页数/大小：	14 页 / 248 K
品牌：	SEMTECH [ SEMTECH CORPORATION ]

SC1405D

电源管理

电气特性 - AC操作规范

参数

高端驱动器

上升时间

下降时间

传播延迟时间，

TG变高

传播延迟时间，

TG走出低

低 - 侧驱动器

上升时间

下降时间

传播延迟时间，

BG变高

传播延迟时间，

TG走出低

欠压锁定

V_5斜坡向上

V_5斜坡下降

PR ð ÿ

EN从低电平转换到

高

tpdhPRDY

V_5 >UVLO门槛，延迟

从EN > 2.0V测量到

PRDY > 3.5V

V_5 >UVLO门槛，延迟

从EN < 0.8V测量到

V_5V的PRDY < 10 ％

µs

tPDH时间

UVLO

tPDH时间

UVLO

EN为高电平

µs

tPDH时间

BGHI

保持tPDL

CI = 3nF的，V

νs的

符号

条件

民

典型值

最大

单位

TG1

tPDH时间

保持tPDL

CI = 3nF的，V

BST

- V

DRN

= 4.6V,

CI = 3nF的，V

BST

- V

DRN

= 4.6V,

CI = 3nF的，V

BST

- V

DRN

= 4.6V,

C-delay=0

CI = 3nF的，V

BST

- V

DRN

= 4.6V,

νs的

CI = 3nF的，V

BST

- V

DRN

= 4.6V,

C-delay=0

CI = 3nF的，V

νs的

= 4.6V,

DRN <1V

EN被来回转换前高后低

ð S·P S _D ř

上升/下降时间

传播延迟， DSPS_DR

去高

传播延迟， DSPS_DR

变低

tpdhUVLO

500

µs

DSPS DR 。

tPDH时间

DSPS DR

保持tPDL

DSPS DR

CI = 100 PF ， V_5 = 4.6V

S_MOD变高和BG

变高或S_MOD变低

S_MOD变高和BG

变低

注意：

（ 1 ）此设备ESD敏感。使用标准的ESD处理措施是必需的。



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