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SC1405B 参数 Datasheet PDF下载

SC1405B图片预览
型号: SC1405B
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内容描述: 高速同步功率MOSFET驱动器的SMART [HIGH SPEED SYNCHRONOUS POWER MOSFET SMART DRIVER]
分类和应用: 驱动器
文件页数/大小: 13 页 / 261 K
品牌: SEMTECH [ SEMTECH CORPORATION ]
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SC1405B
电源管理
应用信息(续)
为了消除对提振振铃效应钙
pacitor电压,放置一个4.7 - 10欧姆的电阻
提高肖特基二极管和Vcc的过滤的负尖峰
在DRN引脚。交替地,一个硅二极管,如
常用的1N4148可以替代
肖特基二极管和省去了一系列重新
体管。
适当的布局将保证最小振铃和消除
奈特无需外部元件。采用SO- 8或
其他表面贴装的MOSFET可以减少铅电感
tance和他们的寄生效应。
异步操作
该SC1405B可以配置在Asynchro-操作
拉S- MOD为逻辑低电平,从而禁用理性模式
底部FET驱动器。这具有省电的效果
由于在底部FET的栅极电容负载轻
不必在开关频率下充电。
可以有自底部驱动一个显著积蓄
可提供高达2A脉冲到FET的开关
频率。还有一个额外的效率好处
在异步模式中操作。当同步操作
时模式中,电感器电流可以负
和流量在相反方向时,底部沟道FET导通
和直流负载小于1/2电感纹波电流。
在这一点上,所述电感器芯和导线的损失,这取决于
决于纹波电流的大小,可以是相当
显著。工作在异步模式下以轻负载
有效之多只收取电感
供给负载的电流,由于电感需要
从不完全放电,在轻负载。直流稳压
在异步操作时灰可以是一个问题
模式下,根据控制器的类型和使用的迷你
所需的最大负载,以保持稳压。如果有
平行使用底部FET没有Shottkey二极管,所述
FET的体二极管将需要进行异步
模式。该二极管的高电压降必须CON组
确定的准则的此模式时sidered
操作。
DSPS DR
这个引脚会产生这是一个逻辑重复的输出
底部FET的栅极驱动器,如果S- MOD保持低电平。
OVP_S /过温关断
输出过电压保护可以实现对
在SC1405独立的PWM控制器。一个电压
从输出年龄分频器与接口相比
1.2V (典型值)的最终带隙电压。一旦超过
此电压时,过压比较器禁止顶端
场效应管,同时打开底部FET允许排放
通过输出电容器的过电压的
输出电感。应该有足够的RC时间CON-
常数以及在OVP_S引脚的电压余量
确保它不会在不经意间进入过压状态。
在SC1405将关闭如果Tj超过165 ℃。
2004年升特公司
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