SX1501/SX1502/SX1503
4/8/16通道低电压GPIO
先进的通信&传感
符号
描述
秋季SDA双方的时间和
t
f
SCL信号
建立时间停止
t
SU ; STO
条件
总线空闲时间之间的
t
BUF
停止和启动条件
容性负载每个总线
C
b
LINE
噪声容限在低
V
nL
对于每个连接的水平
装置（包括滞后）
噪声容限的高
V
nH
对于每个连接的水平
装置（包括滞后）
杂项
可编程上拉/下拉
RPULL
电阻IO [ 0-7 ]
t
PLD
PLD传播延迟
条件
-
-
-
-
-
-
民
20+0.1C
b
0.6
1.3
-
0.1*VDDM
0.2*VDDM
(7)
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
300
-
-
400
-
-
单位
ns
µs
µs
pF
V
V
-
VCC1,2 & VDDM = 5V
VCC1,2 & VDDM = 1.2V
-
-
-
60
-
-
-
25
125
k
ns
（ 1 ）假设无负载连接到固定VCC1,2或GND输出和输入。
（ 2）可以在RegAdvanced寄存器增加。请参阅§2.2.1了解更多详情。
（ 3 ）所有的值称为VIH
MR分钟
和VIL
m最大
的水平。
（ 4）设备必须在内部提供至少300ns的为SDA信号保持时间（简称VIH
MR分钟
）弥合的未定义区域
SCL的下降沿。
（5 ）最大吨
HD ; DAT
只需要满足，如果设备没有延长低电平时间（T
低
）的SCL信号。
（ 6 ）快速模式I
2
C总线器件也可在标准模式我使用
2
C总线系统，但要求吨
SU ; DAT
≥
250 ns的必须被满足。
这将是自动进行的，如果器件没有延长SCL信号的低电平周期。
如果该器件延长了SCL信号，它必须输出下一个数据位到SDA线T的低电平周期
R最大
+ t
SU ; DAT
= 1000 + 250
= SCL线之前， 1250纳秒（根据标准模式I2C总线规范）被释放。
(7) C
b
=在pF的总线上的总电容。如果使用HS模式混合设备，更快的下降时间是允许的。
表5 - 电气规格
2.2.1提高I / O库和源电流能力（升压模式）
当位RegAdvanced寄存器1时，最大IOH和IOL规格
当VCC1,2低于VBOOST
可以
与胰岛素依赖型糖尿病和ICC1,2附图一起增加，如下所述。
符号说明
条件
民
典型值
最大单位
供应
VBOOST低电压升压门槛
-
2.0
2.2
2.4
V
主电源电流
VDDM = 5.5V （ VCC1,2 < VBOOST ）
-
150
250 µA
IDDM
2
（ I C无效）
VDDM = 1.2V （ VCC1,2 < VBOOST ）
-
25
50
uA
VCC1 = VBOOST
-
250
350
ICC1
I / O组供电电流
µA
VCC1 = 1.2V
-
100
200
VCC2 = VBOOST
-
150
250
SX1502
VCC2 = 1.2V
-
50
150
ICC2
I / O组B电源电流
µA
VCC2 = VBOOST
-
250
450
SX1503
VCC2 = 1.2V
-
100
200
I / O的设置为输出
VCC1,2 > = VBOOST
-
-
8
高电平输出源
IOH
mA
当前对于所有I / O的
VCC1,2 < VBOOST
-
-
4
VCC1,2 > = VBOOST
-
-
24
低电平输出灌电流
mA
对于高水槽的I / O
VCC1,2 < VBOOST
-
-
12
IOL
低电平输出灌电流
VCC1,2 > = VBOOST
-
-
12
mA
对于其它I / O的
VCC1,2 < VBOOST
-
-
6
NINT ， NRESET
低电平输出灌电流
VDDM > = VBOOST
-
-
12
IOL
M
mA
对于NINT ， NRESET
VDDM < VBOOST
-
-
6
表6 - 在升压模式电气规格
重要提示：
RegAdvanced登记不影响任何规范时， VCC1和VCC2高于VBOOST 。
第七版 - 2008年10月2日
9
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