欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

1N4151 参数 Datasheet PDF下载

1N4151图片预览
型号: 1N4151
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 硅外延平面二极管 [SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODES]
分类和应用: 二极管局域网
文件页数/大小: 1 页 / 119 K
品牌: SEMTECH_ELEC [ SEMTECH ELECTRONICS LTD. ]
   
1N4149...1N4454
硅外延平面二极管
对于通用和开关
最大。 0.5
马克斯。 0.45
马克斯。 1.9
分钟。 27.5
马克斯。 1.9
分钟。 27.5
阴极带
产品型号
"ST"品牌
阴极带
XXX
ST
马克斯。 3.9
产品型号
XXX
马克斯。 2.9
分钟。 27.5
分钟。 27.5
玻璃外壳DO- 35
尺寸(mm)
玻璃外壳DO- 34
尺寸(mm)
绝对最大额定值和特性
(T
a
= 25
O
C除非另有规定编)
PEAK
反向
电压
V
RM
(V)
1N4149
1N4151
1N4152
1N4154
1N4447
1N4449
1N4450
1N4451
1N4453
1N4454
1)
2)
1)
1)
TYPE
马克斯。
平均
纠正
当前
I
O
(MA )
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
2)
马克斯。
马克斯。动力
耗散结
温度。
在25
O
C
P
合计
( mW)的
500
500
400
500
500
500
400
400
400
400
2)
最大。前锋
电压
V
F
(V)
1
1
0.55
1
1
1
0.54
0.5
0.55
1
在我
F
(MA )
10
50
0.1
30
20
30
0.5
0.1
0.01
10
马克斯。反向
当前
I
R
( nA的)
25
50
50
100
25
25
50
50
50
100
在V
R
(V)
20
50
30
25
20
20
30
30
20
50
马克斯。反向恢复时间
T
j
(
O
C)
200
200
175
200
200
200
175
175
175
175
t
rr
(纳秒)
4
2
2
2
4
4
4
10
-
4
条件
I
F
= 10 mA时, V
R
= 6 V,
R
L
= 100
Ω,
到我
R
= 1毫安
I
F
= 10 mA时, V
R
= 6 V,
R
L
= 100
Ω,
到我
R
= 1毫安
I
F
= 10 mA时, V
R
= 6 V,
R
L
= 100
Ω,
到我
R
= 1毫安
I
F
= 10 mA时, V
R
= 6V,
R
L
= 100
Ω,
到我
R
= 1毫安
I
F
= 10 mA时, V
R
= 6 V,
R
L
= 100
Ω,
到我
R
= 1毫安
I
F
= 10 mA时, V
R
= 6 V,
R
L
= 100
Ω,
到我
R
= 1毫安
I
F
= I
R
= 10毫安,为我
R
= 1毫安
I
F
= I
R
= 10毫安,为我
R
= 1毫安
-
I
F
= I
R
= 10毫安,为我
R
= 1毫安
100
75
40
35
100
100
40
40
30
75
1)
这些二极管也是玻璃的情况下, DO- 34可用。参数二极管的情况下, DO- 34 :P
合计
= 300毫瓦,T
j
= 175
O
C
有效的提供,导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
®
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
日期: 20/06/2007