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1N5348B 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 1N5348B
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内容描述: 5 W硅稳压二极管 [5 W SILICON ZENER DIODES]
分类和应用: 稳压二极管测试
文件页数/大小: 3 页 / 312 K
品牌: SEMTECH_ELEC [ SEMTECH ELECTRONICS LTD. ]
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1N5335B THRU 1N5388B
5 W硅稳压二极管
特点
•高反向峰值功耗
•高可靠性
•低漏电流
说明
标准情况下是DO - 15 , D2A情况下,可
根据要求提供。例如: 1N5335B ( D2A )方式
在D2A的情况。
机械数据
•环氧: UL94V- 0率阻燃
•铅:轴向引线每MIL -STD- 202焊接的,
方法208保证
•极性:颜色频带端为负极
•安装位置:任意
绝对最大额定值
(评分25
O
C环境温度,除非另有规定)
参数
符号
价值
单位
DC功率耗散@ T
L
= 75
O
C
1)
1)
P
D
T
j
, T
S
5
- 65至+ 200
W
O
结温和存储温度范围
C
T
L
=从体内铅温度8"分之3毫米(9.5毫米)
特点在T
a
= 25
O
C
参数
正向电压
在我
F
= 1 A
符号
V
F
马克斯。
1.2
单位
V
电气特性
(评分25
O
C环境温度,除非另有规定)
齐纳电压
1)
TYPE
1N5335B
1N5336B
1N5337B
1N5338B
1N5339B
1N5340B
1N5341B
V
ZNOM
V
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6
6.2
V
Z
(V)
分钟。
马克斯。
3.71
4.09
4.09
4.51
4.47
4.93
4.85
5.35
5.32
5.88
5.7
6.3
5.89
6.51
在我
ZT
mA
320
290
260
240
220
200
200
最大齐纳阻抗
Z
ZT
2
2
2
1.5
1
1
1
在我
ZT
mA
320
290
260
240
220
200
200
Z
ZK
500
500
450
400
400
300
200
在我
ZK
mA
1
1
1
1
1
1
1
最大反向
漏电流
I
R
在V
R
µA
V
50
1
10
1
5
1
1
1
1
2
1
3
1
3
最大直流
齐纳电流
I
ZM
mA
1220
1100
1010
930
856
790
765
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
®
日期: 19/07/2008 é