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BC237 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BC237
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内容描述: NPN硅外延平面晶体管 [NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 139 K
品牌: SEMTECH_ELEC [ SEMTECH ELECTRONICS LTD. ]
 浏览型号BC237的Datasheet PDF文件第2页  
BC237...BC239
NPN硅外延平面晶体管
对于开关和放大器应用
该晶体管被细分为三组, A,B
和C ,根据其DC电流增益。
1.收藏家2.基地3.发射
TO- 92塑料包装
绝对最大额定值(T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
S
BC237
50
45
6
BC238
30
25
5
100
500
150
BC239
30
25
单位
V
V
V
mA
mW
O
C
C
- 55至+ 150
O
特点在T
a
= 25
O
C
参数
直流电流增益
在V
CE
= 5 V,I
C
= 2毫安
电流增益A组
B
C
BC237
BC238 , BC239
BC237
BC238 , BC239
BC237
BC238 , BC239
符号
h
FE
h
FE
h
FE
I
CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
V
CE ( SAT )
分钟。
120
180
380
-
-
45
25
6
5
-
-
-
-
0.55
150
-
马克斯。
220
460
800
15
15
-
-
-
-
0.2
0.6
0.83
1.05
0.7
-
4.5
单位
-
-
-
nA
V
V
V
集电极基截止电流
在V
CB
= 50 V
在V
CB
= 30 V
集电极发射极击穿电压
在我
C
= 2毫安
发射极基极击穿电压
在我
E
= 100 µA
集电极 - 发射极饱和电压
在我
C
= 10 mA时,我
B
- 0.5毫安
在我
C
= 100毫安,我
B
= 5毫安
基极发射极饱和电压
在我
C
= 10 mA时,我
B
- 0.5毫安
在我
C
= 100毫安,我
B
= 5毫安
基极发射极电压
在V
CE
= 5 V,I
C
= 2毫安
电流增益带宽积
在V
CE
= 5 V,I
C
= 10 mA时, F = 100 MHz的
集电极电容基地
在V
CB
= 10 V , F = 1兆赫
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
f
T
C
ob
V
V
兆赫
pF
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
®
日期: 27/12/2007