BC307 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BC307
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内容描述：	PNP硅外延平面晶体管 [PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 146 K
品牌：	SEMTECH_ELEC [ SEMTECH ELECTRONICS LTD. ]

BC307…BC308

PNP硅外延平面晶体管

对于开关和放大器应用

1.收藏家2.基地3.发射

TO- 92塑料包装

绝对最大额定值（T

= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极电压

集电极电流

总功耗

结温

存储温度范围

符号

-V

CBO

-V

首席执行官

-V

EBO

-I

合计

BC307

100

500

150

BC308

单位

- 55至+ 150

特点在T

= 25

参数

直流电流增益

在-V

= 5 V ， -I

= 2毫安

电流增益组

符号

-I

CBO

-V

（ BR ） CEO

-V

（ BR ） EBO

-V

CE （ SAT ）

-V

BE（上）

分钟。

120

180

380

0.55

100

马克斯。

220

460

800

0.3

0.6

0.7

单位

兆赫

集电极基截止电流

在-V

= 50 V

在-V

= 30 V

集电极发射极击穿电压

在-I

= 2毫安

发射极基极击穿电压

在-I

= 100 µA

集电极 - 发射极饱和电压

在-I

= 10毫安， -I

- 0.5毫安

在-I

= 100毫安， -I

= 5毫安

基极发射极电压

在-V

= 5 V ， -I

= 2毫安

电流增益带宽积

在-V

= 5 V ， -I

= 10 mA时， F = 100 MHz的

集电极电容基地

在-V

= 10 V ， F = 1兆赫

BC307

BC308

BC307

BC308

SEMTECH ELECTRONICS LTD 。

（子公司

泰丰国际集团有限公司，公司

在香港联交所上市，股票代码： 724 ）

日期： 27/12/2007

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