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BC338 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BC338
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内容描述: NPN硅外延平面晶体管 [NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 203 K
品牌: SEMTECH_ELEC [ SEMTECH ELECTRONICS LTD. ]
 浏览型号BC338的Datasheet PDF文件第2页  
BC337…BC338
NPN硅外延平面晶体管
对于开关和放大器应用
这些类型被细分为三组-16
-25和-40 ,根据自己的DC电流增益。
1.收藏家2.基地3.发射
TO- 92塑料包装
绝对最大额定值(T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
j
T
S
BC337
50
45
5
800
1
625
150
BC338
30
25
单位
V
V
V
mA
A
mW
O
C
C
- 55至+ 150
O
特点在T
a
= 25
O
C
参数
直流电流增益
在V
CE
= 1 V,I
C
= 100毫安
在V
CE
= 1 V,I
C
= 300毫安
电流增益组
-16
-25
-40
-16
-25
-40
符号
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
I
CBO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
f
T
C
CBO
分钟。
100
160
250
60
100
170
-
-
50
30
45
25
5
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
12
马克斯。
250
400
630
-
-
-
100
100
-
-
-
-
-
0.7
1.2
-
-
单位
-
-
-
-
-
-
nA
V
V
V
V
V
兆赫
pF
集电极基截止电流
在V
CB
= 50 V
在V
CB
= 30 V
集电极基极击穿电压
在我
C
= 100 µA
集电极发射极击穿电压
在我
C
= 2毫安
发射极基极击穿电压
在我
E
= 100 µA
集电极 - 发射极饱和电压
在我
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
基极发射极电压
在V
CE
= 1 V,I
C
= 300毫安
增益带宽积
在V
CE
= 5 V,I
C
= 10 mA时, F = 50 MHz的
集电极电容基地
在V
CB
= 10 V , F = 1兆赫
BC337
BC338
BC337
BC338
BC337
BC338
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
®
日期: 27/12/2007