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BC560 参数 Datasheet PDF下载

BC560图片预览
型号: BC560
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内容描述: PNP硅外延平面晶体管 [PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 139 K
品牌: SEMTECH_ELEC [ SEMTECH ELECTRONICS LTD. ]
 浏览型号BC560的Datasheet PDF文件第2页  
BC556…BC560
PNP硅外延平面晶体管
对于开关和AF放大器应用
这些晶体管被分为三个组A,
根据其电流增益B和C的。
绝对最大额定值(T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 基极电压
BC556
BC557 , BC560
BC558 , BC559
BC556
BC557 , BC560
BC558 , BC559
1.收藏家2.基地3.发射
TO- 92塑料包装
符号
-V
CBO
价值
80
50
30
65
45
30
5
100
200
500
150
- 65至+ 150
单位
V
集电极 - 发射极电压
-V
首席执行官
-V
EBO
-I
C
-I
CM
P
合计
T
j
T
S
V
V
mA
mA
mW
O
发射极电压
集电极电流( DC )
峰值集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
C
C
O
特点在T
a
= 25
O
C
参数
直流电流增益
在-V
CE
= 5 V , -I
C
= 2毫安
电流增益组
A
B
C
符号
h
FE
h
FE
h
FE
-I
CBO
-I
EBO
BC556
BC557 , BC560
BC558 , BC559
BC556
BC557 , BC560
BC558 , BC559
-V
( BR ) CBO
分钟。
110
200
420
-
-
80
50
30
65
45
30
5
马克斯。
220
450
800
15
100
-
-
-
-
-
-
-
单位
-
-
-
nA
nA
V
集电极基截止电流
在-V
CB
= 30 V
发射基地截止电流
在-V
EB
= 5 V
集电极基极击穿电压
在-I
C
= 100 µA
集电极发射极击穿电压
在-I
C
= 2毫安
发射极基极击穿电压
在-I
E
= 100 µA
-V
( BR ) CEO
-V
( BR ) EBO
V
V
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
®
日期: 27/12/2007