欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

BC808 参数 Datasheet PDF下载

BC808图片预览
型号: BC808
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: PNP硅外延平面晶体管 [PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 184 K
品牌: SEMTECH_ELEC [ SEMTECH ELECTRONICS LTD. ]
 浏览型号BC808的Datasheet PDF文件第2页  
BC807 / BC808
PNP硅外延平面晶体管
对于开关,自动对焦驱动器和放大器的应用
这些晶体管被分为3组
-16 ,-25和-40 ,根据其电流增益。
互补型的NPN晶体管BC817
和BC818建议。
SOT- 23塑料包装
绝对最大额定值(T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
功耗
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
BC807
BC808
BC807
BC808
符号
-V
CBO
-V
首席执行官
-V
EBO
-I
C
P
合计
R
θJA
T
J
T
S
价值
50
30
45
25
5
500
200
500
150
- 55至+ 150
单位
V
V
V
mA
mW
K / W
O
C
C
O
在T电气特性
a
= 25
O
C
参数
直流电流增益
在-V
CE
= 1 V , -I
C
= 100毫安
电流增益组
-16
-25
-40
符号
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
-I
CBO
-I
EBO
-V
CESAT
-V
BE(上)
f
T
C
CBO
分钟。
100
160
250
40
-
-
-
-
80
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
9
马克斯。
250
400
600
-
100
100
0.7
1.2
-
-
单位
-
-
-
-
nA
nA
V
V
兆赫
pF
在-V
CE
= 1 V , -I
C
= 500毫安
集电极基截止电流
在-V
CB
= 20 V
发射基截止电流
在-V
EB
= 5 V
集电极饱和电压
在-I
C
= 500毫安, -I
B
= 50毫安
基射极电压
在-I
C
= 500毫安, -V
CE
= 1 V
Gain -bandwidth产品
在-V
CE
= 5 V , -I
C
= 10 mA时, F = 50 MHz的
集电极 - 基极电容
在-V
CB
= 10 V , F = 1兆赫
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
®
日期: 19/12/2006