MBR1635 MBR1660 THRU
肖特基势垒整流器
反向电压 - 35至60 V
正向电流 - 16 A
特点
•金属硅交界处，多数载流子传导
·保护环，过电压保护
•高电流能力
•低功耗，高效率
•低正向压降
•对于使用低电压，高频率逆变器，免费
whelling ，和极性保护应用
机械数据
•案例：模压塑料， TO- 220A
•环氧： UL 94V- 0率阻燃
•端子：导致每MIL -STD- 202焊接的
方法208保证
•极性：由于标
•安装位置：任意
最大额定值和电气特性
25评分
O
C环境温度，除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
参数
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
T
C
= 125
O
C
在T重复峰值正向电流
C
= 125
O
C
（额定V
R
，广场。波， 20千赫）
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单一正弦半
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
反向重复峰值电流为TP = 2微秒， 1千赫
最大正向电压
1)
在我
F
= 16 A，T
C
= 25
O
C
在我
F
= 16 A，T
C
= 125
O
C
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
I
RRM
V
F
I
R
dv / dt的
R
θJC
T
J
T
S
1
0.63
0.57
0.2
40
10,000
1.5
- 55至+ 150
- 55〜 + 175
MBR1635
MBR1645
MBR1650
MBR1660
单位
V
V
V
A
A
A
35
24
35
45
31
45
16
32
150
50
35
50
60
42
60
0.5
0.75
0.65
1
50
A
V
mA
V / μs的
O
在额定DC最大反向电流在T
C
= 25
O
C
阻断电压
在T
C
= 125
O
C
变化的电压率（额定V
R
)
典型热阻
工作温度范围
存储温度范围
1)
C / W
O
C
C
O
脉冲试验： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
®
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 29/08/2007
H
SEMTECH_ELEC [ SEMTECH ELECTRONICS LTD. ]
