MMBT3906 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MMBT3906
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内容描述：	PNP硅通用晶体管 [PNP Silicon General Purpose Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	5 页 / 338 K
品牌：	SEMTECH_ELEC [ SEMTECH ELECTRONICS LTD. ]

MMBT3906

特点在T

AMB

= 25

参数

直流电流增益

在-V

= 1 V ， -I

- 0.1毫安

在-V

= 1 V ， -I

= 1毫安

在-V

= 1 V ， -I

= 10毫安

在-V

= 1 V ， -I

= 50毫安

在-V

= 1 V ， -I

= 100毫安

集电极 - 发射极饱和电压

在-I

= 10毫安， -I

= 1毫安

在-I

= 50毫安， -I

= 5毫安

基极发射极饱和电压

在-I

= 10毫安， -I

= 1毫安

在-I

= 50毫安， -I

= 5毫安

收藏家Cuto FF电流

在-V

= 30 V

基地截止电流

在-V

= 6 V

集电极基极击穿电压

在-I

= 10 µA

集电极发射极击穿电压

在-I

= 1毫安

发射极 - 基极击穿电压

在-I

= 10 µA

电流增益带宽积

在-V

= 20 V ， -I

= 10 mA时， F = 100 MHz的

输出电容

在-V

= 5V ，我

= 0中，f = 1 MHz的

输入电容

在-V

= 0.5 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

输入阻抗

在-I

= 1毫安， -V

= 10 V ， F = 1千赫

电压反馈比例

在-I

= 1毫安， -V

= 10 V ， F = 1千赫

小信号电流增益

在-I

= 1毫安， -V

= 10 V ， F = 1千赫

-V

BESAT

-V

BESAT

-I

CBO

-I

EBO

-V

（ BR ） CBO

-V

（ BR ） CEO

-V

（ BR ） EBO

敖包

IBO

0.65

250

0.1

100

0.85

0.95

4.5

400

兆赫

KΩ

X 10

-4

符号

-V

CESAT

-V

CESAT

分钟。

100

马克斯。

300

0.25

0.4

单位

SEMTECH ELECTRONICS LTD 。

（子公司

泰丰国际集团有限公司，公司

在香港联交所上市，股票代码： 724 ）

日期： 06/12/2005

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