MMBT5551
NPN硅外延平面晶体管
对于高电压放大器应用。
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极电压
集电极电流
功耗
结温
存储温度范围
特点在T
AMB
=25
O
C
参数
直流电流增益
在V
CE
= 5V ，我
C
=1mA
在V
CE
= 5V ，我
C
=10mA
在V
CE
= 5V ，我
C
=50mA
集电极发射极击穿电压
在我
C
=1mA
集电极基极击穿电压
在我
C
=100µA
发射极基极击穿电压
在我
E
=10µA
收藏家Cuto FF电流
在V
CB
=120V
发射Cuto FF电流
在V
EB
=4V
集电极饱和电压
在我
C
= 10毫安，我
B
=1mA
在我
C
= 50mA时我
B
=5mA
基本饱和电压
在我
C
= 10毫安，我
B
=1mA
在我
C
= 50mA时我
B
=5mA
增益带宽积
在V
CE
= 10V ，我
C
= 10毫安中，f = 100MHz的
集电极电容基地
在V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
噪声系数
在V
CE
= 5V ，我
C
= 200ìA ，R
G
= 2KΩ ， F = 30Hz的... 15KHz的
热阻结到环境
符号
h
FE
h
FE
h
FE
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE坐
V
CE坐
V
BE坐
V
BE坐
f
T
C
CBO
NF
R
THA
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
S
SOT- 23塑料包装
价值
160
180
6
600
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
O
C
C
O
分钟。
80
80
30
160
180
6
-
-
-
-
-
-
100
-
-
-
马克斯。
-
250
-
-
-
-
50
50
0.15
0.2
1
1
300
6
8
200
单位
-
-
-
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
兆赫
pF
dB
K / W
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
®
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 16/11/2005
SEMTECH_ELEC [ SEMTECH ELECTRONICS LTD. ]
