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    MMBT9012 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT9012图片预览
    型号： MMBT9012
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅外延平面晶体管 [PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 237 K
    品牌： SEMTECH_ELEC [ SEMTECH ELECTRONICS LTD. ]
     浏览型号MMBT9012的Datasheet PDF文件第2页  
    MMBT9012
    PNP硅外延平面晶体管
    用于开关和放大器应用。
    互补型的NPN晶体管
    MMBT9013建议。
    SOT- 23塑料包装
    绝对最大额定值（T
    a
    = 25
    O
    C)
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极电压
    集电极电流
    功耗
    结温
    存储温度范围
    符号
    -V
    CBO
    -V
    首席执行官
    -V
    EBO
    -I
    C
    P
    合计
    T
    j
    T
    英镑
    价值
    40
    30
    5
    500
    200
    150
    - 55至+ 150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    O
    C
    C
    O
    特点在T
    a
    = 25
    O
    C
    参数
    直流电流增益
    在-V
    CE
    = 1 V ， -I
    C
    = 50毫安
    电流增益G组
    H
    在-V
    CE
    = 1 V ， -I
    C
    = 500毫安
    集电极基截止电流
    在-V
    CB
    = 35 V
    发射基地截止电流
    在-V
    EB
    = 5 V
    集电极基极击穿电压
    在-I
    C
    = 100
    μA
    集电极发射极击穿电压
    在-I
    C
    = 1毫安
    发射极基极击穿电压
    在-I
    E
    = 100
    μA
    集电极 - 发射极饱和电压
    在-I
    C
    = 500毫安， -I
    B
    = 50毫安
    基极发射极饱和电压
    在-I
    C
    = 500毫安， -I
    B
    = 50毫安
    基极发射极电压
    在-V
    CE
    = 1 V ， -I
    C
    = 100毫安
    增益带宽积
    在-V
    CE
    = 6 V ， -I
    C
    = 20毫安
    符号
    h
    FE
    h
    FE
    h
    FE
    -I
    CBO
    -I
    EBO
    -V
    （ BR ） CBO
    -V
    （ BR ） CEO
    -V
    （ BR ） EBO
    -V
    CE （ SAT ）
    -V
    BE （ SAT ）
    -V
    BE
    f
    T
    分钟。
    100
    160
    40
    -
    -
    40
    30
    5
    -
    -
    -
    100
    马克斯。
    250
    400
    -
    100
    100
    -
    -
    -
    0.6
    1.2
    1
    -
    单位
    -
    -
    -
    nA
    nA
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    兆赫
    SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
    （子公司
    泰丰国际集团有限公司，公司
    在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
    ®
    日期： 15/04/2009

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