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MPS750 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MPS750
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内容描述: PNP硅外延平面晶体管 [PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 131 K
品牌: SEMTECH_ELEC [ SEMTECH ELECTRONICS LTD. ]
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MPS750
PNP硅外延平面晶体管
用于开关和放大器应用。
特殊要求,这些晶体管可
在不同的引脚配置生产。
1.Emitter 2.Base 3.Collector
TO- 92塑料包装
重量约。 019克
绝对最大额定值(T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
功耗
结温
存储温度范围
符号
-V
CBO
-V
首席执行官
-V
EBO
-I
C
P
合计
T
j
T
S
价值
60
40
5
2
625
150
- 55至+ 150
单位
V
V
V
A
mW
O
C
C
O
特点在T
a
= 25
O
C
参数
直流电流增益
在-V
CE
= 2 V , -I
C
= 50毫安
在-V
CE
= 2 V , -I
C
= 500毫安
在-V
CE
= 2 V , -I
C
= 1 A
在-V
CE
= 2 V , -I
C
= 2 A
收藏家Cuto FF电流
在-V
CB
= 60 V
发射Cuto FF电流
在-V
EB
= 4 V
集电极基极击穿电压
在-I
C
= 100 µA
集电极发射极击穿电压
在-I
C
= 10毫安
发射极基极击穿电压
在-I
E
= 10 µA
集电极 - 发射极饱和电压
在-I
C
= 1 , -I
B
= 100毫安
在-I
C
= 2 A, -I
B
= 200毫安
基极发射极饱和电压
在-I
C
= 1 , -I
B
= 100毫安
基极发射极电压
在-I
C
= 1 A, -V
CE
= 2 V
增益带宽积
在-V
CE
= 5 V , -I
C
= 50 mA时, F = 100 MHz的
符号
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
-I
CBO
-I
EBO
-V
( BR ) CBO
-V
( BR ) CEO
-V
( BR ) EBO
-V
CE ( SAT )
-V
BE ( SAT )
-V
BE(上)
f
T
分钟。
75
75
75
40
-
-
60
40
5
-
-
-
-
75
马克斯。
-
-
-
-
100
100
-
-
-
0.4
0.7
1.2
1
-
单位
-
-
-
-
nA
nA
V
V
V
V
V
V
兆赫
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
®
日期: 2007年4月4日