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RB706F-40 参数 Datasheet PDF下载

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型号: RB706F-40
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内容描述: 硅外延肖特基二极管 [SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE]
分类和应用: 肖特基二极管
文件页数/大小: 2 页 / 218 K
品牌: SEMTECH_ELEC [ SEMTECH ELECTRONICS LTD. ]
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RB706F-40
硅外延肖特基二极管
对于低电流整流
3
特点
•高可靠性
•低反向电流
1
2
标识代码:
ZA
绝对最大额定值(T
a
= 25
O
C)
参数
反向重复峰值电压
反向电压
平均正向电流整流
峰值正向浪涌电流( T = 8.3毫秒)
结温
存储温度范围
符号
V
RM
V
R
I
O
I
FSM
T
j
T
英镑
价值
45
40
30
200
125
- 55至+ 125
单位
V
V
mA
mA
O
C
C
O
特点在T
a
= 25
O
C
参数
正向电压
在我
F
= 1毫安
反向电流
在V
R
= 10 V
反向击穿电压
在我
R
= 10 µA
终端之间的电容
在V
R
= 1 V , F = 1兆赫
符号
V
F
I
R
V
( BR )R
C
T
分钟。
-
-
45
-
典型值。
-
-
-
2
马克斯。
0.37
1
-
-
单位
V
µA
V
pF
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
®
日期: 12/03/2009