欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

ST13005 参数 Datasheet PDF下载

ST13005图片预览
型号: ST13005
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅功率晶体管 [NPN Silicon Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管开关局域网
文件页数/大小: 2 页 / 145 K
品牌: SEMTECH_ELEC [ SEMTECH ELECTRONICS LTD. ]
 浏览型号ST13005的Datasheet PDF文件第2页  
ST 13005
NPN硅功率晶体管
高压,高速功率开关
应用程序。
TO- 220塑料包装
绝对最大额定值(T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
功率耗散(T
a
= 25
O
C)
功率耗散(T
c
= 25
O
C)
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
P
合计
T
j
T
S
价值
700
400
9
4
2
75
150
- 55至+ 150
单位
V
V
V
A
W
W
O
C
C
O
特点在T
a
= 25
O
C
参数
直流电流增益
在V
CE
= 5 V,I
C
= 1 A
在V
CE
= 5 V,I
C
= 2 A
集电极基截止电流
在V
CB
= 700 V
发射基地截止电流
在V
EB
= 9 V
集电极发射极击穿电压
在我
C
= 10毫安
集电极 - 发射极饱和电压
在我
C
= 1 A,I
B
= 0.2 A
在我
C
= 2 A,I
B
= 0.5 A
在我
C
= 4 A,I
B
= 1 A
基极发射极饱和电压
在我
C
= 1 A,I
B
= 0.2 A
在我
C
= 2 A,I
B
= 0.5 A
增益带宽积
在V
CE
= 10 V,I
C
= 500 mA时, F = 1兆赫
集电极电容基地
在V
CB
= 10 V , F = 0.1 MHz的
符号
h
FE
h
FE
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
V
CE ( SAT )
V
CE ( SAT )
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
cb
分钟。
10
8
-
-
400
-
-
-
-
-
4
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
65
马克斯。
60
40
1
1
-
0.5
0.6
1
1.2
1.6
-
-
单位
-
-
mA
mA
V
V
V
V
V
V
兆赫
pF
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
®
日期: 28/08/2008