SENSITRON
半导体
技术参数
数据表5080 ,版本A
1N4464 1N4494直通
1N4464US通1N4494US
SJ / SX / SV
SS
齐纳二极管1.5W
•
•
•
•
•
•
超低的反向漏电流
齐纳电压可从9.1V到160V
夏普齐膝盖
冶金结合
全封闭,无腔体的玻璃封装
率先完成SN63
电气特性 - 温度25
o
C除非另有说明
产品型号
公称
齐纳
电压
Vz
TEST
当前
I
ZT
mA
28.0
25.0
23.0
21.0
19.0
17.0
15.5
14.0
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.7
3.3
3.0
2.8
2.5
2.0
2.0
1.9
1.7
1.6
最大
动态
阻抗
Z
ZK
@ I
ZK
Ω
4
5
6
7
8
9
10
11
12
14
16
18
20
25
27
30
40
50
60
70
80
100
130
160
200
250
300
400
500
700
1000
膝关节最大
阻抗
I
ZK
@ I
ZK
Ω
500
500
550
550
550
600
600
650
650
650
700
700
750
800
850
900
950
1000
1100
1300
1500
1700
2000
2500
3000
3100
4000
4500
5000
6000
6500
mA
0.5
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
最大
连续
当前
I
ZM
mA
157
143
130
119
110
95
90
79
71
65
60
53
48
43
40
37
33
30
28
26
23
21
19
17
16
14
13
12
11
9.5
8.9
最大浪涌
当前
I
ZSM
A
1.6
1.4
1.3
1.2
1.1
.95
.90
.79
.71
.65
.60
.53
.48
.43
.40
.37
.33
.30
.28
.26
.23
.21
.19
.17
.16
.14
.13
.12
.11
.095
.089
μA
.30
.30
.30
.20
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
05
.05
.05
.05
.05
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
最大
反向
当前
I
R
@ V
R
V
5.46
8.00
8.80
9.60
10.40
12.00
12.80
14.40
16.00
17.60
19.20
21.60
24.00
26.40
28.80
31.20
34.40
37.60
40.80
44.80
49.60
54.40
60.40
65.60
72.80
80.00
88.00
96.00
104.00
120.00
128.00
V
1N4464/US
9.1
1N4465/US
10.0
1N4466/US
11.0
1N4467/US
12.0
1N4468/US
13.0
1N4469/US
15.0
1N4470/US
16.0
1N4471/US
18.0
1N4472/US
20.0
1N4473/US
22.0
1N4474/US
24.0
1N4475/US
27.0
1N4476/US
30.0
1N4477/US
33.0
1N4478/US
36.0
1N4479/US
39.0
1N4480/US
43.0
1N4481/US
47.0
1N4482/US
51.0
1N4483/US
56.0
1N4484/US
62.0
1N4485/US
68.0
1N4486/US
75.0
1N4487/US
82.0
1N4488/US
91.0
1N4489/US
100.0
1N4490/US
110.0
1N4491/US
120.0
1N4492/US
130.0
1N4493/US
150.0
1N4494/US
160.0
o
*
DC TA = + 150℃ IR2
•
221西工业苑
鹿园,NY 11729-4681
( 631 ) 586-7600传真( 631 ) 242-9798
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