SENSITRON
半导体
技术参数
数据表5073 , REV 。 -
瞬态电压抑制二极管, 500W
•
全封闭,无腔体的玻璃封装
•
冶金结合
o
o
•
工作和存储温度: -55℃至+175 ç
SS6102A /美通SS6137A /美
系列
TYPE
500W
1N6102A/US
1N6103A/US
1N6104A/US
1N6105A/US
1N6106A/US
1N6107A/US
1N6108A/US
1N6109A/US
1N6110A/US
1N6111A/US
1N6112A/US
1N6113A/US
1N6114A/US
1N6115A/US
1N6116A/US
1N6117A/US
1N6118A/US
1N6119A/US
1N6120A/US
1N6121A/US
1N6122A/US
1N6123A/US
1N6124A/US
1N6125A/US
1N6126A/US
1N6127A/US
1N6128A/US
1N6129A/US
1N6130A/US
1N6131A/US
1N6132A/US
1N6133A/US
1N6134A/US
1N6135A/US
1N6136A/US
1N6137A/US
民
击穿
电压
V( BR ) @ I( BR )
VDC
6.12
7.13
7.79
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
14.25
15.20
17.10
19.00
20.9
22.8
25.7
28.5
31.4
34.2
37.1
40.9
44.7
48.5
53.2
58.9
64.6
71.3
77.9
86.5
95.0
104.5
114.0
123.5
142.5
152
171
190
直流毫安
175
175
150
150
125
125
100
100
75
75
65
65
50
50
50
40
40
30
30
30
25
25
20
20
20
20
15
15
12
12
10
10
8.0
8.0
5.0
5.0
工作
反向峰值
电压
VRWM
VDC
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
91.2
98.8
114.0
121.6
136.8
152.0
最大
反向
当前
IR1
μAdc
500
300
100
100
100
20
20
20
20
20
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
MAX 。 CLAMP 。
电压
VC @ IP
TP = 1毫秒
V( PK)
10.5
11.2
12.1
13.4
14.5
15.6
16.9
18.2
21.0
22.3
25.1
27.7
30.5
33.3
37.4
41.6
45.7
49.9
53.6
59.1
64.6
70.1
77.0
85.3
97.1
103.1
112.8
125.1
137.6
151.3
165.1
178.8
206.3
218.4
245.7
273.0
马克斯。高峰
脉冲
当前
IP
A( PK)
142.8
133.9
124.0
111.9
103.4
96.2
88.8
82.4
71.4
67.3
59.8
54.2
49.2
45.0
40.1
36.0
32.8
30.1
28.0
25.4
23.2
21.4
19.5
17.6
15.4
14.5
13.3
12.0
10.9
9.9
9.1
8.4
7.3
6.9
6.1
5.5
马克斯。温度。
系数
V( BR )
% /
°C
.05
.06
.06
.06
.07
.07
.07
.08
.08
.08
.085
.085
.085
.09
.09
.09
.095
.095
.095
.095
.095
.095
.095
.100
.100
.100
.100
.100
.100
.100
.100
.105
.105
.105
.110
.110
•
221西工业苑鹿园,NY 11729-4681电话( 631 ) 586 7600传真:( 631 ) 242 9798
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电子邮件地址 - sales@sensitron.com
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